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资料编号:402400
资料名称:
IKA03N120H2
文件大小: 335.5K
说明
:
介绍
:
HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IKA03N120H2
电源 半导体
2 三月-04, rev. 2
热的 阻抗
参数 标识 情况 最大值 值
单位
典型的
igbt 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJC
4.3
二极管 热的 阻抗,
接合面 - 情况
R
thJCD
5.8
热的 阻抗,
接合面 – 包围的
R
thJA
p-至-220-3-31
p-至-220-3-34
62
k/w
电的 典型的,
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定
值
参数 标识 情况
最小值 典型值
最大值
单位
静态的 典型的
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ces
V
GE
=0v,
I
C
=300
µ
一个
1200 -
-
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
V
GE
= 15v,
I
C
=3A
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
V
GE
= 10v,
I
C
=3a,
T
j
=25
°
C
-
-
-
2.2
2.5
2.4
2.8
-
-
二极管 向前 电压
V
F
V
GE
= 0,
I
F
=3A
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
1.55
1.6
-
-
门-发射级 门槛 电压
V
ge(th)
I
C
=90
µ
一个,
V
CE
=
V
GE
2.1 3
3.9
V
零 门 电压 集电级 电流
I
CES
V
CE
=1200v,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
-
-
20
80
µ
一个
门-发射级 泄漏 电流
I
GES
V
CE
=0v,
V
GE
=20V
- - 100 na
跨导
g
fs
V
CE
=20v,
I
C
=3A
- 2
-
S
动态 典型的
输入 电容
C
iss
- 205 -
输出 电容
C
oss
- 24 -
反转 转移 电容
C
rss
V
CE
=25v,
V
GE
=0v,
f
=1MHz
- 7 -
pF
门 承担
Q
门
V
CC
=960v,
I
C
=3A
V
GE
=15V
- 8.6 - nc
内部的 发射级 电感
量过的 5mm (0.197 在.) 从 情况
L
E
p-至-220-3-1
-
7
-
nH
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