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IKA03N120H2
电源 半导体
2 三月-04, rev. 2
热的 阻抗
参数 标识 情况 最大值 值
单位
典型的
igbt 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJC
 4.3
二极管 热的 阻抗,
接合面 - 情况
R
thJCD
5.8
热的 阻抗,
接合面 – 包围的
R
thJA
p-至-220-3-31
p-至-220-3-34
62
k/w
电的 典型的,
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 典型的
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ces
V
GE
=0v,
I
C
=300
µ
一个
1200 - -
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
V
GE
= 15v,
I
C
=3A
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
V
GE
= 10v,
I
C
=3a,
T
j
=25
°
C
-
-
-
2.2
2.5
2.4
2.8
-
-
二极管 向前 电压
V
F
V
GE
= 0,
I
F
=3A
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
1.55
1.6
-
-
门-发射级 门槛 电压
V
ge(th)
I
C
=90
µ
一个,
V
CE
=
V
GE
2.1 3 3.9
V
零 门 电压 集电级 电流
I
CES
V
CE
=1200v,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
-
-
-
-
20
80
µ
一个
门-发射级 泄漏 电流
I
GES
V
CE
=0v,
V
GE
=20V
- - 100 na
跨导
g
fs
V
CE
=20v,
I
C
=3A
- 2 -
S
动态 典型的
输入 电容
C
iss
- 205  -
输出 电容
C
oss
 - 24 -
反转 转移 电容
C
rss
V
CE
=25v,
V
GE
=0v,
f
=1MHz
- 7 -
pF
门 承担
Q
门
V
CC
=960v,
I
C
=3A
V
GE
=15V
- 8.6 - nc
内部的 发射级 电感
量过的 5mm (0.197 在.) 从 情况
L
E
p-至-220-3-1 -
7
-
nH

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IKA03N120H2 电源半导体 2 三月-04, rev. 2 热的阻抗参数标识情况最大值值单位典型的 igbt 热的阻抗, 接合面 – 情况 R thJC 4.3 二极管热的阻抗, 接合面 - 情况 R thJCD 5.8 热的阻抗, 接合面 – 包围的 R thJA p-至-220-3-31 p-至-220-3-34 62 k/w 电的典型的, 在 T j = 25 ° c, 除非否则指定值参数标识情况最小值典型值最大值单位静态的典型的集电级-发射级损坏电压 V (br)ces V GE =0v, I C =300 µ 一个 1200 - - 集电级-发射级饱和电压 V ce(sat) V GE = 15v, I C =3A T j =25 ° C T j =150 ° C V GE = 10v, I C =3a, T j =25 ° C - - - 2.2 2.5 2.4 2.8 - - 二极管向前电压 V F V GE = 0, I F =3A T j =25 ° C T j =150 ° C - - 1.55 1.6 - - 门-发射级门槛电压 V ge(th) I C =90 µ 一个, V CE = V GE 2.1 3 3.9 V 零门电压集电级电流 I CES V CE =1200v, V GE =0V T j =25 ° C T j =150 ° C - - - - 20 80 µ 一个门-发射级泄漏电流 I GES V CE =0v, V GE =20V - - 100 na 跨导 g fs V CE =20v, I C =3A - 2 - S 动态典型的输入电容 C iss - 205 - 输出电容 C oss - 24 - 反转转移电容 C rss V CE =25v, V GE =0v, f =1MHz - 7 - pF 门承担 Q 门 V CC =960v, I C =3A V GE =15V - 8.6 - nc 内部的发射级电感量过的 5mm (0.197 在.) 从情况 L E p-至-220-3-1 - 7 - nH

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