IKA03N120H2
电源 半导体
9 三月-04, rev. 2
C
,
电容
0V 10V 20V 30V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
V
GE
,
门
-
发射级 电压
0nC 10nC 20nC 30nC
0V
5V
10V
15V
20V
U
CE
=240V
U
CE
=960V
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
Q
GE
,
门 承担
图示 17. 典型 电容 作 一个
函数 的 集电级-发射级 电压
(
V
GE
= 0v,
f
= 1mhz)
图示 18. 典型 门 承担
(
I
C
= 3a)
Z
thJC
,
瞬时 热的 阻抗
1µs 10µs 100µs 1ms 10ms100ms 1s 10s
10
-2
k/w
10
-1
k/w
10
0
k/w
10
1
k/w
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
单独的 脉冲波
D
=0.5
Z
thJC
,
瞬时 热的 阻抗
10µs100µs 1ms 10ms100ms 1s 10s
10
-2
k/w
10
-1
k/w
10
0
k/w
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
脉冲波 宽度
t
P
,
脉冲波 宽度
图示 19. 典型 igbt 瞬时 热的
阻抗 作 一个 函数 的 脉冲波 宽度
(
D
=
t
P
/
T
)
图示 22. 典型 二极管 瞬时
热的 阻抗 作 一个 函数 的
脉冲波 宽度
(
D
=
t
P
/
T
)
R
,(k/w)
τ
,
(s)
1,4285 5,2404
1,8838 1,7688
0,4057 0,07592
0,4234 0,005018
0,3241 0,000595
0,1021 0,000126
0,1340 0,000018
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(k/w)
τ
,
(s)
0.9734 4.279
1.452 1.094
0.6213 4.899*10
-2
0.7174 3.081*10
-3
0.7037 4.341*10
-4
0.1445 0.833*10
-5
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
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