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资料编号:402431
资料名称:
IKW20N60T
文件大小: 435.11K
说明
:
介绍
:
IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
: 点此下载
1
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3
4
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ikp20n60t, ikb20n60t
trenchstop 序列
IKW20N60T
电源 半导体
4
rev. 2.2 dec-04
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=175
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
- 18 -
上升 时间
t
r
- 18 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 223 -
下降 时间
t
f
- 76 -
ns
转变-在 活力
E
在
- 0.51 -
转变-止 活力
E
止
- 0.64 -
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=175
°
c,
V
CC
=400v,
I
C
=20a,
V
GE
=0/15v,
R
G
= 12
Ω
L
σ
1)
=131nh,
C
σ
1)
=31pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
- 1.15 -
mJ
反对-并行的 二极管 典型的
二极管 反转 恢复 时间
t
rr
- 176 - ns
二极管 反转 恢复 承担
Q
rr
- 1.46 - µc
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
I
rrm
- 18.9 - 一个
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 反转
恢复 电流 在
t
b
di
rr
/dt
T
j
=175
°
C
V
R
=400v,
I
F
=20a,
di
F
/dt
=880a/
µ
s
- 467 -
一个/
µ
s
1)
泄漏 电感
L
σ
一个
n
d
偏离 capacity
C
σ
预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e.
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