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文档 号码 83612
rev. 1.5, 26-oct-04
il1/ il2/ il5
vishay 半导体
输出
Coupler
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小 和 最大 值 是 测试 需要ments. 典型 值 是 characteristics 的 这 设备 和 是 这 结果 的 engineering
evaluation. 典型 值 是 为 信息仅有的 和 是 不 部分 的 这 测试 (所需的)东西.
输入
参数 测试 情况 Part 标识 Value 单位
集电级-发射级 损坏 电压 IL1 BV
CEO
50 V
IL2 BV
CEO
70 V
IL5 BV
CEO
70 V
发射级-根基 损坏 电压 BV
EBO
7.0 V
集电级-根基 损坏 电压 BV
CBO
70 V
集电级 电流 I
C
50 毫安
t < 1.0 ms I
C
400 毫安
电源 消耗 P
diss
200 mW
减额 成直线地 从 25 °C 2.6 mw/°c
参数 测试 情况 标识 Value 单位
包装 电源 消耗 P
tot
250 mW
减额 成直线地 从 25 °C 3.3 mw/°c
分开 测试 电压 (在
发射级 和 探测器 涉及 至
标准 climate 23 °/50 %rh,
din 50014)
V
ISO
5300 V
RMS
Creepage
≥
7.0 mm
Clearance
≥
7.0 mm
comparative 追踪 index 每
din iec 112/vde 0303, 部分 1
175
分开 阻抗 V
IO
= 500 v, t
amb
= 25 °C R
IO
≥
10
12
Ω
V
IO
= 500 v, t
amb
= 100 °C R
IO
≥
10
11
Ω
存储 温度 T
stg
- 40 至 + 150 °C
运行 温度 T
amb
- 40 至 + 100 °C
接合面 温度 T
j
100 °C
焊接 温度 2.0 mm 从 情况 bottom T
sld
260 °C
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= 60 毫安 V
F
1.25 1.65 V
损坏 电压 I
R
= 10
µ
AV
BR
6.0 30 V
反转 电流 V
R
= 6.0 v I
R
0.01 10
µ
一个
电容 V
R
= 0 v, f = 1.0 mhz C
O
40 pF
热的 阻抗 接合面 至
含铅的
R
thjl
750 k/w
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