il1/ il2/ il5
文档 号码 83612
rev. 1.5, 26-oct-04
vishay 半导体
www.vishay.com
3
输出
Coupler
电流 转移 比率
切换 非-saturated
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
集电级-发射级 电容 V
CE
= 5.0 v, f = 1.0 mhz C
CE
6.8 pF
集电级 - 根基 电容 V
CB
= 5.0 v, f = 1.0 mhz C
CB
8.5 pF
发射级 - 根基 电容 V
EB
= 5.0 v, f = 1.0 mhz C
EB
11 pF
集电级-发射级 泄漏
电流
V
CE
= 10 v I
CEO
5.0 50 nA
集电级-发射级 饱和
电压
I
CE
= 1.0 毫安, i
B
= 20
µ
AV
CESAT
0.25 V
根基-发射级 电压 V
CE
= 10 v, i
B
= 20
µ
AV
是
0.65 V
直流 向前 电流 增益 V
CE
= 10 v, i
B
= 20
µ
一个 HFE 200 650 1800
直流 向前 电流 增益
saturated
V
CE
= 0.4 v, i
B
= 20
µ
AHFE
sat
120 400 600
热的 阻抗 接合面 至
含铅的
R
thjl
500 k/w
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
电容 (输入-输出) V
i-o
= 0 v, f = 1.0 mhz C
IO
0.6 pF
绝缘 阻抗 V
i-o
= 500 v R
S
10
14
Ω
参数 测试 情况 Part 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
电流 转移 比率
(集电级-发射级 saturated)
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 0.4 v IL1 CTR
CEsat
75 %
IL2 CTR
CEsat
170 %
IL5 CTR
CEsat
100 %
电流 转移 比率
(集电级-发射级)
I
F
= 10 毫安, v
CE
= 10 v IL1 CTR
CE
20 80 300 %
IL2 CTR
CE
100 200 500 %
IL5 CTR
CE
50 130 400 %
电流 转移 比率
(集电级-根基)
I
F
= 10 毫安, v
CB
= 9.3 v IL1 CTR
CB
0.25 %
IL2 CTR
CB
0.25 %
IL5 CTR
CB
0.25 %
参数 电流 延迟 上升 时间 存储 下降 时间 传播
h-l
传播
l-h
测试 情况 V
CE
= 5.0 v, r
L
= 75
Ω
, t
P
量过的 在 50 % 的 输出
标识 I
F
t
D
t
r
t
S
t
f
t
PHL
t
PLH
单位 毫安
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
IL1 20 0.8 1.9 0.2 1.4 0.7 1.4
IL2 4.0 1.7 2.6 0.4 2.2 1.2 2.3
IL5 10 1.7 2.6 0.4 2.2 1.1 2.5
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