IL1-X006_集成电路资料查询网

il1/ il2/ il5
文档 号码 83612
rev. 1.5, 26-oct-04
vishay 半导体
www.vishay.com
7
图示 15. normalized 非-saturated hfe vs. 根基 电流 和
温度
图示 16. normalized saturated hfe vs. 根基 电流 和
温度
图示 17. 传播 延迟 vs. 集电级 加载 电阻
iil1_15
1 1 0 100 1000
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Ib - 根基 电流 -
µ
一个
NHFE - Normalized HFE
Ib=20
µ
一个
Vce=10V
-20°c
25°C
50¡
70°C
Normalized 至:
iil1_16
1 10 100 1000
0.0
0.5
1.0
1.5
I
B
- 根基 电流 - (
µ
一个)
V
CE
= 0.4 V
Normalized 至:
V
CE
=10V
I
B
=20
µ
一个
70°C
50°C
25°C
-20°c
nhfe(sat) -normalized
Saturated HFE
iil1_17
RL - 集电级 加载 电阻 - k
Ω
100101.1
1
10
100
1000
1.0
1.5
2.0
2.5
tpLH
tpHL
tp - Propagatio 延迟
µ
s
tpHL - 传播 延迟
µ
s
如果 = 10 毫安
vcc=5v,vth=1.5v

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il1/ il2/ il5 文档号码 83612 rev. 1.5, 26-oct-04 vishay 半导体 www.vishay.com 7 图示 15. normalized 非-saturated hfe vs. 根基电流和温度图示 16. normalized saturated hfe vs. 根基电流和温度图示 17. 传播延迟 vs. 集电级加载电阻 iil1_15 1 1 0 100 1000 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Ib - 根基电流 - µ 一个 NHFE - Normalized HFE Ib=20 µ 一个 Vce=10V -20°c 25°C 50¡ 70°C Normalized 至: iil1_16 1 10 100 1000 0.0 0.5 1.0 1.5 I B - 根基电流 - ( µ 一个) V CE = 0.4 V Normalized 至: V CE =10V I B =20 µ 一个 70°C 50°C 25°C -20°c nhfe(sat) -normalized Saturated HFE iil1_17 RL - 集电级加载电阻 - k Ω 100101.1 1 10 100 1000 1.0 1.5 2.0 2.5 tpLH tpHL tp - Propagatio 延迟 µ s tpHL - 传播延迟 µ s 如果 = 10 毫安 vcc=5v,vth=1.5v

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