5–2
il4116/4117/4118
特性
(t
一个
=25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
发射级
向前 电压 V
F
1.3 1.5 V I
F
-20 毫安
损坏 电压 V
BR
630 VI
R
=10
µ
一个
反转 电流 I
R
0.1 10
µ
AV
R
=6 v
电容 C
O
40 pF V
F
=0 v, f=1 mhz
热的 阻抗, 接合面 至 含铅的 R
THJL
750
°
c/w
输出 探测器
repetitive 顶峰 止-状态 电压
IL4116
IL4117
IL4118
V
DRM
V
DRM
V
DRM
600
700
800
650
750
850
V
V
V
I
DRM
=100 毫安
I
DRM
=100 毫安
I
DRM
=100 毫安
止-状态 电压
IL4116
IL4117
IL4118
V
d(rms)
V
d(rms)
V
d(rms)
424
494
565
460
536
613
V
V
V
I
d(rms)
=70
µ
一个
I
d(rms)
=70
µ
一个
I
d(rms)
=70
µ
一个
止-状态 电流 I
d(rms)
10 100
µ
AV
D
=600 v, t
一个
=100
°
C
在-状态 电压 V
TM
1.7 3 V I
T
=300 毫安
在-状态 电流 I
TM
300 毫安 pf=1.0, v
t(rms)
=1.7 v
surge (非-repetitive, 在-状态 电流) I
TSM
3 一个 f=50 hz
支持 电流 I
H
65 200
µ
AV
T
=3 v
latchiing 电流 I
L
5mAV
T
=2.2 v
led 触发 电流 I
FT
0.7 1.3 毫安 V
AK
=5 v
零 交叉 inhibit 电压 V
IH
15 25 V I
F
=评估 i
FT
转变-在 时间 t
在
35
µ
sV
RM
=V
DM
=424 vac
转变-止 时间 t
止
50
µ
s pf=1.0, i
T
=300 毫安
核心的 状态 的 上升: 止-状态 电压 dv
(mt)
/dt 10,000
2000
v/
µ
s
v/
µ
s
V
RM
, v
DM
=400 vac, t
一个
=25
°
C
V
RM
, v
DM
=400 vac, t
一个
=80
°
C
commutating 电压 dv
(com)
/dt 10,000
2000
v/
µ
s
v/
µ
s
V
RM
, v
DM
=400 vac, t
一个
=25
°
C
V
RM
, v
DM
=400 vac, t
一个
=80
°
C
commutating 电流 di/dt 100 一个/ms I
T
=300 毫安
热的 阻抗, 接合面 至 含铅的 R
THJL
150
°
c/w
包装
核心的 状态 的 上升 的 couplrd
输入-输出 电压
dv
(io)
/dt 10,000 v/
µ
sI
T
=0 一个, v
RM
=V
DM
=424 vac
一般 模式 连接 电容 C
CM
0.01 pF
包装 电容 C
IO
0.8 pF f=1 mhz, v
IO
=0 v
图示 1. led 向前 电流 vs. 向前 电压
图示 2. 向前 电压 相比 向前 电流
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