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文档 号码 83652
rev. 1.3, 19-apr-04
VISHAY
ild615/ ilq615
vishay 半导体
图示 13. normalization 因素 为 非-saturated 和 saturated
ctr vs. i
F
图示 14. normalization 因素 为 非-saturated 和 saturated
ctr vs. i
F
图示 15. 集电级-发射级 current vs. 温度 和 led
电流
iild615_13
CTRNF - Normalized CTR 因素
.1 1 10 100
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
I
F
- LED 电流 - 毫安
NCTRce
T
一个
=70°C
Normalized 至:
V
CE
=10v,i
F
= 5 毫安,
ctrce(sat) V
CE
= 0.4 V
nctrce(sat)
iild615_14
CTRNF - Normalized CTR 因素
.1 1 10 100
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
I
F
- LED 电流 - 毫安
NCTRce
T
一个
= 100 °C
Normalized 至:
V
CE
=10v,i
F
= 5 毫安,
ctrce(sat) V
CE
= 0.4 V
nctrce(sat)
iild615_15
60503020100
0
5
10
15
20
25
30
35
50°C
70°C
85°C
I
F
- LED 电流 - 毫安
I
CE
- 集电级 电流 - 毫安
25°C
40
图示 16. 集电级 发射级 泄漏 vs. 温度
图示 17. -1, 传播 延迟 vs. 集电级 加载 电阻
图示 18. -2, -3, 传播 延迟 vs. 集电级 加载 电阻
iild615_16
100806040200-20
10
10
10
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
2
3
4
5
T
一个
- 包围的 温度 - °C
I
CEO
- 集电级-发射级 - nA
Vce=10V
典型
iild615_17
R
L
-loadresistor-k
Ω
100101.1
1
10
100
1000
1.0
1.5
2.0
4.0
tpLH
tpHL
t
pLH
- 传播 低-高
µ
s
t
pHL
- 传播 高-低
µ
s
I
F
=10mA
V
CC
= 5 v, Vth = 1.5 V
2.5
3.0
3.5
iild615_18
R
L
- 集电级 加载 电阻 - k
Ω
100101.1
1
10
100
1000
1.0
1.5
2.0
2.5
tpLH
tpHL
t
pLH
- 传播 低-高
µ
s
t
pHL
- 传播 高-低
µ
s
I
F
=10mA
V
CC
=5v,vth=1.5v
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