F
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INT200
情况
参数 标识
(除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值 单位
V
DD
= 15 v, com = 0v
T
一个
= -40 至 85
°
C
V
IH
= 4.0 v
V
IL
= 1.0 v
1 后缀
2 后缀
V
HSD1
, v
HSD2
= 500 v
V
HSD1
, v
HSD2
= 10 v
V
HSD1
, v
HSD2
= 25 v
0 10 150
-20 0 20
4.0
1.0
0.3 0.7
600 700
800 900
0.1 15
525
156
10
I
ih,
I
IL
V
IH
V
IL
V
HY
BV
DSS
I
hsd(止)
I
hsd(在)
t
hsd(在)
C
OSS
µ
一个
V
V
V
V
µ
一个
毫安
ns
pF
hsd 输出
hsd1/hsd2 电压 (1 后缀) ................................. 600 v
(2 后缀) ................................. 800 v
hsd1/hsd2 回转 比率 ........................................... 10 v/ns
V
DD
电压 ................................................................ 16.5 v
逻辑 输入 电压 ...................................... -0.3v 至 5.5 v
ls 输出 电压 ................................ -0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
存储 温度 ....................................... –65 至 125
°
C
包围的 温度 ........................................ -40 至 85
°
C
接合面 温度 ................................................. 150
°
C
含铅的 温度
(2)
.................................................... 260
°
C
绝对 最大 比率
1
电源 消耗
pf 后缀 (t
一个
= 25
°
c) ......................................... 1.25 w
(t
一个
= 70
°
c) ....................................... 800 mw
tf 后缀 (t
一个
= 25
°
c) ......................................... 1.04 w
(t
一个
= 70
°
c) ....................................... 667 mw
热的 阻抗 (
θ
JA
)
pf 后缀 ........................................................... 100
°
c/w
tf 后缀 ........................................................... 120
°
c/w
1. 除非 指出, 所有 电压 关联 至 com, t
一个
= 25
°
C
2. 1/16" 从 情况 为 5 秒.
逻辑
输入 电流,
高 或者 低
输入 电压
高
输入 电压
低
输入 电压
Hysteresis
损坏
电压
止-状态
输出 电流
在-状态
输出 电流
在-状态
脉冲波 宽度
输出
电容
5
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