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资料编号:406069
资料名称:
IPD05N03LB
文件大小: 304.13K
说明
:
介绍
:
OptiMOS2 Power-Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ipd05n03lb g
1 电源 消耗
2 流 电流
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
≥
10 v
3 safe 运行 范围
4 最大值 瞬时 热的 阻抗
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °c;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
参数:
t
p
参数:
D
=
t
p
/
T
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
直流
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
[V]
I
D
[A]
限制 用 在-状态
阻抗
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
00 000 01
t
p
[s]
Z
thJC
[k/w]
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
tot
[W]
0
20
40
60
80
100
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
[A]
rev. 1.2
页 4
2004-12-16
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