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资料编号:406238
资料名称:
IPP09N03LA
文件大小: 347.27K
说明
:
介绍
:
OptiMOS 2 Power-Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IPB09N03LA
ipi09n03la, ipp09n03la
参数
标识
情况
单位
最小值
典型值
最大值
D
ynamic 特性
输入 电容
C
iss
-
1240
1649
pF
输出 电容
C
oss
-
530
704
反转 转移 电容
C
rss
-
81
122
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-
9
13
ns
上升 时间
t
r
-
88
132
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-2233
下降 时间
t
f
-
4.2
6
门 char
ge 特性
5)
门 至 源 承担
Q
gs
-
4.4
5.8
nC
门 承担 在 门槛
Q
g(th)
-
2.0
2.6
门 至 流 承担
Q
gd
-
3.1
4.7
切换 承担
Q
sw
-
5.5
7.9
门 承担 总的
Q
g
-1014
门 plateau 电压
V
plateau
-
3.5
-
V
门 承担 总的, 同步. 场效应晶体管
Q
g(同步)
V
DS
=0.1 v,
V
GS
=0 至 5 v
-
9
12
nC
输出 承担
Q
oss
V
DD
=15 v,
V
GS
=0 v
-1115
反转 二极管
二极管 continous 向前 电流
I
S
-
-
50
一个
二极管 脉冲波 电流
I
s,脉冲波
-
-
350
二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=0 v,
I
F
=50 一个,
T
j
=25 °c
-
0.98
1.2
V
反转 恢复 承担
Q
rr
V
R
=15 v,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=400 一个/µs
-
-
10
nC
5)
看 图示 16 为 门 承担 参数 定义
T
C
=25 °c
值
V
GS
=0 v,
V
DS
=15 v,
f
=1 mhz
V
DD
=15 v,
V
GS
=10 v,
I
D
=25 一个,
R
G
=2.7
Ω
V
DD
=15 v,
I
D
=25 一个,
V
GS
=0 至 5 v
rev. 1.3
页 3
2003-12-18
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