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资料编号:406240
资料名称:
IPP03N03LA
文件大小: 317.68K
说明
:
介绍
:
OptiMOS 2 Power-Transistor
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IPB03N03LA
ipi03n03la, ipp03n03la
13 avalanche 特性
14 典型值 门 承担
I
作
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
Ω
V
GS
=f(
Q
门
);
I
D
=40 一个 搏动
参数: t
j(开始)
参数:
V
DD
15 流-源 损坏 电压
16 门 承担 波形
V
br(dss)
=f(
T
j
);
I
D
=1 毫安
5 v
15 v
20 v
0
2
4
6
8
10
12
0
20406080100
Q
门
[nC]
V
GS
[V]
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
br(dss)
[V]
V
GS
Q
门
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °c
100 °c150 °c
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[µs]
I
AV
[A]
rev. 1.4
页 7
2004-02-05
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