IR2166
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4
3
3uA
5
2
CPH
CT
RPH
RT
11
12
COM
LO
M2
R
CS
OSC
16
HO
M1
15
VS
C
CPH
C
T
half-
桥
输出
I
加载
(+)
V
总线
(-)
加载
返回
half-
桥
驱动器
IR2166
1.3v
S1
S4
竞赛 4
10
13
VCC
CS
R1
C
CS
S3
故障
逻辑
V
总线
R
T
R
PH
oscillate 在 这 preheat 频率 和 50% 职责
循环 和 和 一个 dead-时间 这个 是 设置 用 这
值 的 这 外部 定时 电容, ct, 和
内部的 deadtime 电阻, rdt. 管脚 cph 是
disconnected 从 com 和 一个 内部的 3
µ
一个
电流 源 (图示 3)
图示 3, preheat 电路系统.
charges 这 外部 preheat 定时 电容
在 cph 成直线地. 这 在-电流 保护 在
管脚 cs 是 无能 在 preheat. 这 preheat
频率 是 决定 用 这 并行的
结合体 的 电阻器 rt 和 rph, 一起
和 定时 电容 ct. ct charges 和
discharges 在 1/3 和 3/5 的 vcc (看
定时 图解, 页 9). ct 是 charged
exponentially 通过 这 并行的 结合体
的 rt 和 rph 连接 内部 至 vcc
通过 场效应晶体管 s1. 这 承担 时间 的 ct
从 1/3 至 3/5 vcc 是 这 在-时间 的 这
各自的 输出 门 驱动器, ho 或者 lo. once
ct 超过 3/5 vcc, 场效应晶体管 s1 是 转变
止, disconnecting rt 和 rph 从 vcc. ct 是
然后 释放 exponentially 通过 一个
内部的 电阻, rdt, 通过 场效应晶体管 s3 至
com. 这 释放 时间 的 ct 从 3/5 至 1/3
vcc 是 这 dead-时间 (两个都 止) 的 这 输出
门 驱动器, ho 和 lo. 这 选择 值 的
ct 一起 和 rdt 因此 程序 这
desired dead-时间 (看 设计 equations, 页
26, equations 1 和 2). once ct discharges
在下 1/3 vcc, 场效应晶体管 s3 是 转变 止,
disconnecting rdt 从 com, 和 场效应晶体管
s1 是 转变 在, 连接 rt 和 rph 又一次
至 vcc. 这 频率 仍然是 在 这 preheat
频率 直到 这 电压 在 管脚 cph 超过
10v 和 这 ic enters ignition 模式. 在 这
preheat 模式, 这 在-电流 保护
一起 和 这 故障 计数器 是 使能. 这
顶峰 ignition 电流 必须 不 超过 这
最大 容许的 电流 比率 的 这 输出
平台 mosfets. 应当 这个 电压 超过 这
内部的 门槛 的 1.3v, 这 内部的 故障
计数器 begins counting 这 sequential 在-
电流 faults (看 定时 图解). 如果 这
号码 的 在-电流 faults 超过 25, 这 ic
将 enter 故障 模式 和 门 驱动器 输出
ho, lo 和 pfc 将 是 latched 低.
图示 4, ignition 电路系统.
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3uA
5
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CPH
CT
RPH
RT
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COM
LO
M2
RCS
osc.
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HO
M1
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VS
R
T
C
CPH
half-
桥
输出
I
加载
V
总线
(+)
V
总线
(-)
加载
返回
half-
桥
驱动器
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S4
R
PH
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