IRLI640G
注释:
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管) p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 2.0 V T
J
= 25°c, i
S
= 9.9a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 310 470 ns T
J
= 25°c, i
F
= 17a
Q
rr
反转 恢复承担 ––– 3.2 4.8 µC di/dt = 100a/µs
t
在
向前 转变-在 时间
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
V
DD
= 25v, 开始 t
J
= 25°c, l = 4.4mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 9.9a. (看 图示 12)
I
SD
≤
17a, di/dt
≤
150a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
150°C
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
源-流 比率 和 特性
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 200 ––– ––– V V
GS
= 0v, id = 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.27 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
––– ––– 0.18 V
GS
= 5.0v, i
D
= 5.9a
––– ––– 0.27 V
GS
= 4.0v, i
D
= 5.0a
V
gs(th)
门 门槛 电压 1.0 ––– 2.0 V V
DS
= v
GS
,I
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 16 ––– ––– S V
DS
= 50v,I
D
= 10a
––– ––– 25 V
DS
= 200v,V
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 160v,V
GS
= 0v, t
J
= 160°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 10v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -10v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 66 I
D
= 17a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 9.0 nC V
DS
= 160v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 38 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 8.0 ––– V
DD
= 100v
t
r
上升 时间 ––– 83 ––– I
D
= 17a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 44 ––– R
G
= 4.6
Ω
t
f
下降 时间 ––– 52 ––– R
D
= 5.7
Ω,
看 图. 10
在 含铅的,
6mm (0.25in.)
从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 1800 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 400 ––– pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 120 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
––– ––– 40
––– ––– 9.9
一个
ns
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
I
GSS
L
D
内部的 流 电感 ––– 4.5 –––
L
S
内部的 源 电感 ––– 7.5 –––
nH
nA
µA
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
Ω
t=60s, ƒ=60hz
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