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资料编号:408081
 
资料名称:IRLR7821
 
文件大小: 247.95K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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www.irf.com 3
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
1
10
100
1000
2.0 4.0 6.0 8.0 10.0
v = 15v
20µs 脉冲波 宽度
DS
v , 门-至-源 电压 (v)
i , 流-至-源 电流 (一个)
GS
D
t = 175 c
J
°
t = 25 c
J
°
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
ds(在)
°
V =
I =
GS
D
10V
65A
0.1 1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
10000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
2.5v
20µs 脉冲波 宽度
tj = 25°c
VGS
10V
4.5v
3.7v
3.5v
3.3v
3.0v
2.7v
BOTTOM 2.5v
0.1 1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
2.5v
20µs 脉冲波 宽度
tj = 175°c
VGS
10V
4.5v
3.7v
3.5v
3.3v
3.0v
2.7v
BOTTOM 2.5v
T
J
, 接合面 温度 (°c)
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