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资料编号:408081
 
资料名称:IRLR7821
 
文件大小: 247.95K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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
6 www.irf.com
25 50 75 100 125 150 175
0
200
400
600
800
1000
开始 tj, 接合面 温度 ( c)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
°
I
D
BOTTOM
4.9a
8.5a
12A
图 13.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
图 15.
门 承担 测试 电路
图 14.
unclamped inductive 测试 电路
和 波形
t
p
V
(br)dss
I
图 16.
切换 时间 测试 电路
图 17.
切换 时间 波形
R
G
I
0.01
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
15V
20V
VGS
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(在)
t
d(止)
t
r
t
f
V
GS
脉冲波 宽度 < 1µs
职责 因素 < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
d.u.t
+
-
2 3 4 5 6 7 8 9 10
V
GS
, 门 -至 -source 电压 (v)
0
5
10
15
20
25
30
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
m
)
I
D
= 15a
T
J
= 125°c
T
J
= 25°c
图 12.
在-阻抗 vs. 门 电压
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