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资料编号:408093
 
资料名称:IRLBA3803
 
文件大小: 120.61K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRLBA3803
4 www.irf.com
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
3
6
9
12
15
0 40 80 120 160 200
Q, total gateCharge(nC )
G
V, gate-至-source voltage (v)
GS
一个
为 测试 电路
看 图示 13
V=24V
V=15V
i =71A
DS
DS
D
0
2000
4000
6000
8000
10000
1 10 100
C, 电容 (pf)
DS
V, drain-至-source voltage(V )
一个
V=0V, f =1MHz
C=C+c , cSHORTE D
C=C
C=C+C
GS
iss
g sg d ds
rss
g d
oss ds
g d
C
s
C
oss
C
rss
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
10
100
1000
10000
1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 r
DS(在)
Single 脉冲波
T
T
= 175 c
= 25 c
°
°
J
C
v , 流-至-源 voltage (v)
i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
v ,源-至-流 voltage (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
v = 0 v
GS
t = 25 c
J
°
t = 175 c
J
°
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