首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:408127
 
资料名称:IRL1104
 
文件大小: 90.45K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号IRL1104的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号IRL1104的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号IRL1104的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号IRL1104的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号IRL1104的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号IRL1104的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号IRL1104的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRL1104
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 40 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.04 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
––– ––– 0.008 V
GS
= 10v, i
D
= 62a
––– ––– 0.012 V
GS
= 4.5v, i
D
= 52a
V
gs(th)
门 门槛 电压 1.0 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 53 ––– ––– S V
DS
= 25v, i
D
= 62a
––– ––– 25 V
DS
= 40v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 32v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 16v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -16v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 68 I
D
= 62a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 24 nC V
DS
= 32v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 33 V
GS
= 4.5v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 18 ––– V
DD
= 20v
t
r
上升 时间 ––– 257 ––– I
D
= 62a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 32 ––– R
G
= 3.6
, v
GS
= 4.5v
t
f
下降 时间 ––– 64 ––– R
D
= 0.4
, 看 图. 10
在 含铅的,
6mm (0.25in.)
从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 3445 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 1065 ––– pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 270 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
nA
S
D
G
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-resis-
I
GSS
L
D
内部的 流 电感 ––– 4.5 –––
L
S
内部的 源 电感 ––– 7.5 –––
ns
µA
nH
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= 62a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 84 126 ns T
J
= 25°c, i
F
= 62a
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 223 335 nC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
一个
––– ––– 416
––– ––– 104
S
D
G
源-流 比率 和 特性
V
DD
= 15v, 开始 t
J
= 25°c, l = 0.18mh
R
G
= 25
, i
=62a. (看 图示 12)
计算 持续的 电流 为基础 在 最大 容许的
接合面 温度;为 推荐 电流-处理 的 这
包装 谈及 至 设计 tip # 93-4
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
脉冲波 宽度
300µs; 职责 循环
2%.
I
SD
62a, di/dt
217a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
175°C
注释:
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com