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SC1403
初步的电源 管理 初步的
产品 信息
在哪里 vin_nom=15v, vo=3.3v, d=vo/vin_nom, fs=300khz,
ts=3.33us 和 io=2.2 一个. lo 是 subsequently 计算 至 是
3.9uh. 为 这 interest 的 这个 设计, lo 是 选择 至 是 4.7uh.
choosing 电流 sense 电阻
自从 这 sc1403 实现 模拟的 电流 sense
TM
, 这 exter-
nal 电流 sense 电阻 是 不 必需的 为 这 控制 循环. 如何-
总是, 它 是 必需的 为 循环-用-循环 电流 限制. 循环-用-循环
电流 限制 是 使能 当 这 电压 横过 这 电流 sense
电阻 超过 50mv 名义上的. 取决于 在 这 系统 re-
quirement, 这个 电流 限制 能 相异, 它 是 通常地 10 至 30% 高等级的
比 这 最大 加载. 带去 在 仔细考虑 的 这 +/-20%
变化 在 这 50mv, 这 值 的 这 电流 sense 电阻 能
是 计算 使用 这 下列的 等式:
为 一个 直流 oc trip 要点 在 6.3a 至 9.8a, rsense 是 选择 至
是 5.5m
Ω
. considering 这 最大 电源 消耗, 二
vishay wsl2010 11m
Ω
1% 电阻器 是 使用.
choosing 这 主要的 切换 场效应晶体管
在之前 choosing 这 主要的 转变 场效应晶体管, 我们 需要 至 know 二
核心的 参数: 电压 和 电流 比率. 在 顺序 至 迷你-
mize 这 传导 丧失, 我们 推荐 使用 这 最低 rds(在)
为 这 一样 电压 和 电流 比率. 这 最大 流 至
源 电压 的 这 转变 场效应晶体管 是 mainly decided 用 这
topology 的 这 切换器. 自从 这个 是 一个 buck topology,
应用 一个 减额 的 70%, 一个 30v 场效应晶体管 是 使用 在 这 设计.
这 顶峰 电流 的 这 场效应晶体管 是 决定 用
这 下列的 calculations 是 完毕 至 核实 那 这 电源 dissi-
pation 的 这 主要的 转变 场效应晶体管 是 好 在里面 1.86w, 这个 是
这 最大 容许的 电源 消耗 为 这 包装.
在哪里 rds(在) = 0.01
Ω
@Tj=25
C
°
和 vgs = 4.5v. 在 顺序 至
find rds(在)@ tj=100
C
°
, 使用 1.40*rds(在)@25
C
°
. 因此,
rds(在) @ tj = 100
C
°
是 equal 至 0.014
Ω
.
在哪里
= 7.1a, = 4.9a 和
这 worst 情况 传导 丧失 是 计算 至 是 112mw. 和
这 切换 丧失 的 这 场效应晶体管 是 给 用,
在哪里 crss 是 这 反转 转移 电容 的 这 场效应晶体管; 它
是 equal 至 200pf 为 sts12nf30l, ig 是 这 门 驱动器 电流; 它
是 equal 至 1a 为 sc1403. 和 vin_nom = 15v, fs = 300khz. 这
切换 丧失 是 计算 至 81mw. 和 这 门 丧失 是 给 用,
在哪里 cg=11nf, v=5v 和 fs=300khz. 这 门 丧失 是 calcu-
lated 至 是 41mw.
所以 这 总的 电源 消耗 是 计算 至 是 234mw 和 是
好 在里面 这 最大 电源 消耗 allowance 的 这
场效应晶体管. 非 特定的 加热 sinking 是 必需的 当 laying 输出
这 场效应晶体管.
符合 至 这 计算 电压 和 电流 比率, si4886dy,
irf7413, fds9412 或者 sts12nf30l 满足 这 必要条件. 这
规格 为 这些 mosfets 是 列表 在 这 表格 在下. 为 这
目的 的 这个 exercise, sts12nf30l 是 选择. next 步伐 是 至
决定 它的 电源 处理 能力. 为基础 在 85
C
°
包围的
温度, 150
C
°
接合面 温度 和 50
C
°
/w ther-
mal 阻抗, 它的 电源 处理 是 计算 作 跟随:
∆
T
J
= 150°c; t
一个
= 85°c; = 50°c/w
n/prodnev)v(sdv)一个(di)n0(sdr
v5.4@
)mho(
egakcaP
YD6884iS03315310.08-os
3147FRI0331110.08-os
2149SDF039.7630.08-os
L03FN21STS03215800.08-os
JA
θ
S
2
GGATE
fVC
2
1
P
⋅⋅⋅=
)
3
IIII
(i
2
221
2
1
RMS
+⋅+
=
2
I
II
最大值_o
MAX1
∆
+=
gateswitchingconductiondiss_总的
PPPP
++=
nom
2
rms)在(dsconduction
DIRP
⋅⋅=
G
OUTS
2
INRSS
切换
I
IfVC
P
⋅⋅⋅
=
NOM_在
输出
nom
V
V
D
=
V21VV
最大值_inmax_ds
==
2
I
II
最大值_o
MAX2
∆
−=
1.30w
50
85150
θ
TT
P
JA
AJ
T
=
−
=
−
=
A11
m5.5
mV60
I
顶峰
=
Ω
=
oc_pk
(最小值)
SENSE
I
mV40
R
=
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