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资料编号:413053
资料名称:
IXDH20N120D1
文件大小: 74.06K
说明
:
介绍
:
High Voltage IGBT with optional Diode
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
© 2000 ixys 所有 权利 保留
2 - 4
ixdh 20n120
ixdh 20n120 d1
标识
情况
典型的 值
(t
J
= 25°c, 除非 否则 指定)
最小值
典型值
最大值
C
ies
1000
pF
C
oes
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v, f = 1 mhz
150
pF
C
res
70
pF
Q
g
I
C
= 20 一个, v
GE
= 15 v, v
CE
= 0.5 v
CES
70
nC
t
d(在)
100
ns
t
r
75
ns
t
d(止)
500
ns
t
f
70
ns
E
在
3.1
mJ
E
止
2.4
mJ
R
thJC
0.63
k/w
R
thCH
包装 和 散热器 复合
0.25
k/w
inductive 加载, t
J
= 125°c
I
C
= 20 一个, v
GE
= ±15 v,
V
CE
= 600 v, r
G
= 82
反转 二极管 (fred)
[d1 版本 only]
典型的 值
(t
J
= 25°c, 除非 否则 指定)
标识
情况
最小值
典型值
最大值
V
F
I
F
= 20 一个, v
GE
= 0 v
2.6
2.8
V
I
F
= 20 一个, v
GE
= 0 v, t
J
= 125°c
2.1
V
I
F
T
C
= 25°c
33
一个
T
C
= 90°c
20
一个
I
RM
I
F
= 20 一个, -di
F
/dt = 400 一个/µs, v
R
= 600 v
15
一个
t
rr
V
GE
= 0 v, t
J
= 125°c
200
ns
t
rr
I
F
= 1 一个, -di
F
/dt = 100 一个/µs, v
R
= 30 v, v
GE
= 0 v
40
ns
R
thJC
1.6
k/w
至-247 ad 外形
维度
Millimeter
英寸
最小值
最大值
最小值
最大值
一个
4.7
5.3
.185
.209
一个
1
2.2
2.54
.087
.102
一个
2
2.2
2.6
.059
.098
b
1.0
1.4
.040
.055
b
1
1.65
2.13
.065
.084
b
2
2.87
3.12
.113
.123
C
.4
.8
.016
.031
D
20.80
21.46
.819
.845
E
15.75
16.26
.610
.640
e
5.20
5.72
0.205
0.225
L
19.81
20.32
.780
.800
L1
4.50
.177
P
3.55
3.65
.140
.144
Q
5.89
6.40
0.232
0.252
R
4.32
5.49
.170
.216
S
6.15
BSC
242
BSC
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