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资料编号:413053
 
资料名称:IXDH20N120D1
 
文件大小: 74.06K
   
说明
 
介绍:
High Voltage IGBT with optional Diode
 
 


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2 - 4
ixdh 20n120
ixdh 20n120 d1
标识 情况 典型的 值
(t
J
= 25°c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
C
ies
1000 pF
C
oes
V
CE
= 25 v, v
GE
= 0 v, f = 1 mhz 150 pF
C
res
70 pF
Q
g
I
C
= 20 一个, v
GE
= 15 v, v
CE
= 0.5 v
CES
70 nC
t
d(在)
100 ns
t
r
75 ns
t
d(止)
500 ns
t
f
70 ns
E
3.1 mJ
E
2.4 mJ
R
thJC
0.63 k/w
R
thCH
包装 和 散热器 复合 0.25 k/w
inductive 加载, t
J
= 125°c
I
C
= 20 一个, v
GE
= ±15 v,
V
CE
= 600 v, r
G
= 82
反转 二极管 (fred)
[d1 版本 only]
典型的 值
(t
J
= 25°c, 除非 否则 指定)
标识 情况 最小值 典型值 最大值
V
F
I
F
= 20 一个, v
GE
= 0 v 2.6 2.8 V
I
F
= 20 一个, v
GE
= 0 v, t
J
= 125°c 2.1 V
I
F
T
C
= 25°c 33 一个
T
C
= 90°c 20 一个
I
RM
I
F
= 20 一个, -di
F
/dt = 400 一个/µs, v
R
= 600 v 15 一个
t
rr
V
GE
= 0 v, t
J
= 125°c 200 ns
t
rr
I
F
= 1 一个, -di
F
/dt = 100 一个/µs, v
R
= 30 v, v
GE
= 0 v 40 ns
R
thJC
1.6 k/w
至-247 ad 外形
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.7 5.3 .185 .209
一个
1
2.2 2.54 .087 .102
一个
2
2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
b
1
1.65 2.13 .065 .084
b
2
2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
E 15.75 16.26 .610 .640
e 5.20 5.72 0.205 0.225
L 19.81 20.32 .780 .800
L1 4.50 .177
P 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.89 6.40 0.232 0.252
R 4.32 5.49 .170 .216
S 6.15 BSC 242 BSC
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