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资料编号:413053
 
资料名称:IXDH20N120D1
 
文件大小: 74.06K
   
说明
 
介绍:
High Voltage IGBT with optional Diode
 
 


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ixdh 20n120
ixdh 20n120 d1
图. 7 典型值 转变 在 活力 和 切换 图. 8 典型值 转变 止 活力 和 切换
时间 相比 集电级 电流 时间 相比 集电级 电流
图. 9 典型值 转变 在 活力 和 切换 图.10 典型值 转变 止 活力 和 切换
时间 相比 门 电阻 时间 相比 门 电阻
图. 11 反转 biased safe 运行 范围 图. 12 典型值 瞬时 热的 阻抗
RBSOA
0 10203040
0
1
2
3
4
5
6
7
0
20
40
60
80
100
120
140
0 10203040
0
1
2
3
4
5
0
100
200
300
400
500
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0 50 100 150 200 250 300 350
0
1
2
3
4
0
400
800
1200
1600
0 50 100 150 200 250 300 350
0
4
8
12
0
80
160
240
单独的 脉冲波
V
CE
= 600v
V
GE
= ±15v
R
G
= 82
W
T
J
= 125
°
C
IXDH20N120D1
V
CE
= 600v
V
GE
= ±15v
I
C
= 20a
T
J
= 125
°
C
0 200 400 600 800 1000 1200
0
5
10
15
20
25
30
35
40
R
G
= 82
W
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< v
CES
V
CE
= 600v
V
GE
= ±15v
R
G
= 82
W
T
J
= 125
°
C
E
V
CE
= 600v
V
GE
= ±15v
I
C
= 20a
T
J
= 125
°
C
t
d(在)
t
r
E
t
d(止)
t
f
E
t
d(在)
t
r
E
t
d(止)
t
f
I
C
一个
I
C
一个
E
E
t
t
R
G
W
R
G
W
V
CE
t
s
mJ
E
mJ
E
ns
t
ns
t
I
CM
k/w
Z
thJC
IGBT
二极管
V
一个
mJ
ns
ns
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