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资料编号:419126
 
资料名称:TE28F640J3C-110
 
文件大小: 905.78K
   
说明
 
介绍:
Intel StrataFlash Memory (J3)
 
 


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256-mbit j3 (x8/x16)
数据手册
21
V
PENH
V
PEN
在 块 擦掉,
程序, 或者 锁-位 行动
2.7 3.6 V 3,4
V
LKO
V
CC
lockout 电压 2.0 V 5
注释:
1. 包含 sts.
2. 抽样, 不 100% 测试.
3. 块 erases, 程序编制, 和 锁-位 配置 是 inhibited 当 v
PEN
V
PENLK
,
和 不 有保证的 在 这 范围 在 v
PENLK
(最大值) 和 v
PENH
(最小值), 和 在之上 v
PENH
(最大值).
4. 典型地, v
PEN
是 连接 至 v
CC
(2.7 v–3.6 v).
5. 块 erases, 程序编制, 和 锁-位 配置 是 inhibited 当 v
CC
< v
LKO
, 和
不 有保证的 在 这 范围 在 v
LKO
(最小值) 和 v
CC
(最小值), 和 在之上 v
CC
(最大值).
6. 包含 所有 运算的 模式 的 这 设备 包含 备用物品 和 电源-向上 sequences.
7. vcc 运行 情况 为 备用物品 有 至 满足 典型 operationg coditons.
表格 7. 直流 电压 特性
标识 参数 最小值 最大值 单位 测试 情况 注释
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