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三-阶段 电源 场效应晶体管 控制
电的 特性 在 t
一个
= +25°c, v
BB
= 50 v, c
激励
= .1µf, c
加载
=1000pf(除非 指出 否则)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
自举 电容
自举 电容 电压 V
CAP
10.4 11.6 12.8 V
自举 承担 门槛 I
BOOTCHG
9 13 18 毫安
自举 电容 r
输出
R
CAP
5 8
Ω
承担 电流 I
CX
100 毫安
cap 泄漏 电流 I
CAP
高 一侧 切换 在 15 25 µA
电流 限制 电路系统
补偿 电压 V
IO
-5 0 5 mV
输入 偏差 电流 I
B
-5 0 µA
比较器 一般 模式 范围 V
CMR
0 1.5 V
rc 承担 电流 I
RC
.9 1 1.1 µA
V
RCL
1.0 1.1 1.2 Vrc 电压 门槛
V
RCH
2.7 3.0 3.3 V
保护 电路系统
门 源 监控 UVLO
GS
V
CAP
-v
GHX
, 高 一侧 切换 在 2.7 3.3 3.9 V
短的 至 地面, 流-源
监控
UVLO
DS
V
BB
- v
SX
, 高 一侧 在 1.6 2.0 2.4 V
欠压 门槛 UVLO V
REG
低 至 高 9.4 9.9 10.4 V
UVLO V
REG
高 至 低 8.8 9.3 9.8 V
故障 输出 V
故障
I
OL
= 1ma .5 V
tach 输出 V
TACH
I
OL
= 500 µa .5 V
热的 关闭 温度 T
J
– 165 – °C
热的 关闭 hysteresis
∆
T
J
– 10 – °C
注释: 1. 典型 数据 是 为 设计 信息 仅有的.
2. 负的 电流 是 定义 作 coming 输出 的 (sourcing) 这 指定 设备 管脚.
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