cmos dramk4e661612c,k4e641612c
绝对 最大 比率
* 永久的 设备 损坏 将 出现 如果 "绝对 最大 比率" 是 超过. 函数的 运作 应当 是 restricted 至
这 情况 作 详细地 在 这 运算的 sections 的 这个 数据 薄板. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 extended
时期 将 影响 设备 可靠性.
参数 标识 比率 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vSS V在,V输出 -0.5 至 +4.6 V
电压 在 vCC供应 相关的 至 vSS VCC -0.5 至 +4.6 V
存储 温度 Tstg -55 至 +150
°
C
电源 消耗 PD 1 W
短的 电路 输出 电流 IOS地址 50 毫安
推荐 运行 情况
(电压 关联 至 vss, t一个= 0 至 70
°
c)
*1 : vcc+1.3v 在 脉冲波 宽度
≤
15ns 这个 是 量过的 在 vCC
*2 : -1.3 在 脉冲波 宽度
≤
15ns 这个 是 量过的 在 vSS
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 VCC 3.0 3.3 3.6 V
地面 VSS 0 0 0 V
输入 高 电压 VIH 2.0 -
vcc+0.3
*1
V
输入 低 电压 VIL
-0.3
*2
- 0.8 V
直流 和 运行 特性
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出.)
参数 标识 最小值 最大值 单位
输入 泄漏 电流 (任何 输入 0
≤
V在
≤
VCC+0.3v,
所有 其它 管脚 不 下面 测试=0 volt)
Ii(l) -5 5 uA
输出 泄漏 电流
(数据 输出 是 无能, 0v
≤
V输出
≤
VCC)
Io(l) -5 5 uA
输出 高 电压 水平的(iOH=-2ma) VOH 2.4 - V
输出 低 电压 水平的(iOL=2ma) VOL - 0.4 V
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