K4E641612C-TL60_集成电路资料查询网

cmos dramk4e661612c,k4e641612c
测试 模式 循环
参数 标识
-45 -50 -60
单位 便条
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
随机的 读 或者 写 循环 时间
tRC
79
89
109
ns
读-modify-写 循环 时间
tRWC
110 121 145 ns
进入 时间 从RAS
tRAC
50 55 65 ns 3,4,10,12
进入 时间 从CAS
tCAC
17 18 20 ns 3,4,5,12
进入 时间 从 column 地址
tAA
28 30 35 ns 3,10,12
RAS脉冲波 宽度
tRAS
50 10K 55 10K 65 10K ns
CAS脉冲波 宽度
tCAS
12 10K 13 10K 15 10K ns
RAS支撑 时间
tRSH
18 18 20 ns
CAS支撑 时间
tCSH
39 43 50 ns
column 地址 至RAS含铅的 时间
tRAL
28 30 35 ns
CAS至W延迟 时间
tCWD
29 35 39 ns 7
RAS至W延迟 时间
tRWD
62 72 84 ns 7
column 地址 至W延迟 时间
tAWD
40 47 54 ns 7
hyper 页 循环 时间
tHPC
22 25 30 ns 21
hyper 页 读-modify-写 循环 时间
tHPRWC
52 53 61 ns 21
RAS脉冲波 宽度 (hyper 页 循环)
tRASP
50 200K 55 200K 65 200K ns
进入 时间 从CASprecharge
tCPA
29 33 40 ns 3
OE进入 时间
tOEA
17 18 20 ns 3
OE至 数据 延迟
tOED
13 18 20 ns
OEcommand 支撑 时间
tOEH
13 18 20 ns
( 便条 11 )

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cmos dramk4e661612c,k4e641612c 测试模式循环参数标识 -45 -50 -60 单位便条最小值最大值最小值最大值最小值最大值随机的读或者写循环时间 tRC 79 89 109 ns 读-modify-写循环时间 tRWC 110 121 145 ns 进入时间从RAS tRAC 50 55 65 ns 3,4,10,12 进入时间从CAS tCAC 17 18 20 ns 3,4,5,12 进入时间从 column 地址 tAA 28 30 35 ns 3,10,12 RAS脉冲波宽度 tRAS 50 10K 55 10K 65 10K ns CAS脉冲波宽度 tCAS 12 10K 13 10K 15 10K ns RAS支撑时间 tRSH 18 18 20 ns CAS支撑时间 tCSH 39 43 50 ns column 地址至RAS含铅的时间 tRAL 28 30 35 ns CAS至W延迟时间 tCWD 29 35 39 ns 7 RAS至W延迟时间 tRWD 62 72 84 ns 7 column 地址至W延迟时间 tAWD 40 47 54 ns 7 hyper 页循环时间 tHPC 22 25 30 ns 21 hyper 页读-modify-写循环时间 tHPRWC 52 53 61 ns 21 RAS脉冲波宽度 (hyper 页循环) tRASP 50 200K 55 200K 65 200K ns 进入时间从CASprecharge tCPA 29 33 40 ns 3 OE进入时间 tOEA 17 18 20 ns 3 OE至数据延迟 tOED 13 18 20 ns OEcommand 支撑时间 tOEH 13 18 20 ns ( 便条 11 )

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