flash 记忆
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K9K1216D0C
K9K1216U0C
K9K1208D0C
K9K1208U0C
K9K1208Q0C
K9K1216Q0C
修订 history
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至 改变 这 规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 y我们的 requests 和 questions 关于 设备. 如果 你 have
任何 questions, 请 联系 这 samsung branch 办公室 near 你.
修订 非.
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
Remark
History
1. trea 值 的 1.8v 设备 是 changed.
k9k12xxq0c : trea 30ns --> 35ns
2. errata 是 deleted.
1. command 表格 是 edited.
2. 交流 参数 是 changed.
twc twh twp trc treh trp trea tcea
K9K12XXU0C
k9k12xxd0c 50 15 25 50 15 25 30 45
k9k12xxq0c 60 20 40 60 20 40 40 55
1. 交流 参数 是 changed.
twc twh twp trc treh trp trea tcea
k9k1208q0c 50 15 25 50 15 25 35 45
k9k1216q0c 60 20 40 60 20 40 40 55
1. 这 测试 情况 为 保卫-用 电流 是 changed.
I
SB
1: ce=V
IH
, wp=0v/v
CC
-->> ce=V
IH
, wp=lockpre=0v/v
CC
isb2:
CE=V
CC
-0.2, wp=0v/v
CC
-->> ce=V
CC
-0.2, wp=lockpre=0v/v
CC
1. 与非 flash 技术的 注释 是 changed.
-invalid 块 -> 在itial invalid 块 ( 页 14 )
-错误 在 写 或者 读 运作 ( 页 15 )
-程序 流动 chart ( 页 15 )
2. tbga->fbga
draft 日期
8月. 20th. 2003
oct. 28th. 2003
dec. 17th. 2003
apr. 22th 2004
oct. 25th. 2004
便条 : 为 更多 详细地 特性 和 规格 在cluding faq, 请 谈及 至 samsung’s flash 网 站点.
http://www.samsung.com/产品/半导体/flash/technicalinfo/数据手册.htm
文档 标题
64m x 8 位 , 32m x 16 位 与非 flash 记忆
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