首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:436569
 
资料名称:KBE00F005A
 
文件大小: 1353K
   
说明
 
介绍:
512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
 
 


: 点此下载
  浏览型号KBE00F005A的Datasheet PDF文件第14页
14
浏览型号KBE00F005A的Datasheet PDF文件第15页
15
浏览型号KBE00F005A的Datasheet PDF文件第16页
16
浏览型号KBE00F005A的Datasheet PDF文件第17页
17

18
浏览型号KBE00F005A的Datasheet PDF文件第19页
19
浏览型号KBE00F005A的Datasheet PDF文件第20页
20
浏览型号KBE00F005A的Datasheet PDF文件第21页
21
浏览型号KBE00F005A的Datasheet PDF文件第22页
22
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
kbe00f005a-d411 mcp 记忆
六月 2005
18
修订 1.0
擦掉 流动 chart
开始
i/o 6 = 1 ?
i/o 0 = 0 ?
*
写 60h
写 块 地址
写 d0h
读 状态 寄存器
或者 r/b = 1 ?
擦掉 错误
Yes
: 如果 擦掉 运作 results 在 一个 错误, 编排 输出
这 failing 块 一个d 替代 它 和 另一 块.
*
擦掉 完成
Yes
读 流动 chart
开始
核实 ecc
写 00h
写 地址
读 数据
ecc 一代
reclaim 这 错误
页 读 完成
Yes
块 替换
与非 flash 技术的 注释
(持续)
当 这 错误 发生 和 页 "一个" 的 块 "一个", 尝试
至 写 这 数据 在 另一 块 "b" 从 一个 exter-
nal 缓存区. 然后, 阻止 更远 系统 进入 至
块 "一个" (用 creating 一个 "invalid 块" 表格 或者 其它
适合的 scheme.)
缓存区
记忆
错误 occurs
块 一个
块 b
页 一个
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com