©2000 仙童 半导体 国际的
KSC5027
rev. 一个, 二月 2000
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 4. 根基-发射级 在 电压
图示 5. 切换 时间 图示 6. safe 运行 范围
012345678910
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
I
B
= 250ma
I
B
= 150ma
I
B
= 200ma
I
B
= 100ma
I
B
= 60ma
I
B
= 80ma
I
B
= 50ma
I
B
= 40ma
I
B
= 30ma
I
B
= 20ma
I
B
= 10ma
I
B
= 0
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0.01 0.1 1 10
1
10
100
1000
V
CE
= 5v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.01 0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 5 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.00.20.40.60.81.01.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
CE
= 5v
I
C
[a], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
V
CC
= 400v
5.i
B
1 = -2.5.i
B
2 = i
C
t
F
t
在
t
STG
t
在
, t
STG
, t
F
[
µ
s], 时间
I
C
[a], 集电级 电流
1 10 100 1000 10000
1e-3
0.01
0.1
1
10
100
100
µ
s
1ms
10ms
直流
I
C
最大值.(脉冲波)
I
C
最大值(持续的)
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
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