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©2002 仙童 半导体 公司
kst42/43
rev. a2, 十一月 2002
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 集电级-发射级 饱和 电压
根基-发射级 饱和 电压
图示 3. 集电级-根基 电容 图示 4. 电流 增益 带宽 产品
110100
10
100
1000
V
CE
= 10v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
1 10 100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
0.1 1 10 100
1
10
100
I
E
= 0
f = 1mhz
C
cb
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
1 10 100
0
20
40
60
80
100
120
V
CE
= 20v
f
T
[mhz],
电流 增益 带宽 产品
I
C
[ma], 集电级 电流

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©2002 仙童半导体公司 kst42/43 rev. a2, 十一月 2002 典型特性图示 1. 直流电流增益图示 2. 集电级-发射级饱和电压根基-发射级饱和电压图示 3. 集电级-根基电容图示 4. 电流增益带宽产品 110100 10 100 1000 V CE = 10v h FE , 直流电流增益 I C [ma], 集电级电流 1 10 100 0.01 0.1 1 10 I C = 10 i B V CE (sat) V 是 (sat) V 是 (sat), v CE (sat)[v], 饱和电压 I C [ma], 集电级电流 0.1 1 10 100 1 10 100 I E = 0 f = 1mhz C cb [pf], 电容 V CB [v], 集电级-根基电压 1 10 100 0 20 40 60 80 100 120 V CE = 20v f T [mhz], 电流增益带宽产品 I C [ma], 集电级电流

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