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资料编号:443538
 
资料名称:L5NK65Z
 
文件大小: 119.87K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 650V - 1.5ohm - 4.2A PowerFLAT⑩ Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
 
 


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STL5NK65Z
电的 特性
(tcase
=25°c 除非 否则 指定)
开关
动态
切换
源 流 二极管
便条: 1.
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300 µs, 职责 循环 1.5 %.
2. 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围.
3. C
oss eq.
是 定义 作 一个 常量 相等的 电容 给 这 一样 charging 时间 作 c
oss
当 v
DS
增加 从 0 至 80%
V
DSS
.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源
损坏 电压
I
D
= 1 毫安, v
GS
= 0 650 V
I
DSS
零 门 电压
流 电流 (v
GS
= 0)
V
DS
= 最大值 比率
V
DS
= 最大值 比率, t
C
= 125 °c
1
50
µA
µA
I
GSS
门-身体 泄漏
电流 (v
DS
= 0)
V
GS
= ± 20v ±10 µA
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 50µa
3 3.75 4.5 V
R
ds(在)
静态的 流-源 在
阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 2.1 一个 1.5 1.8
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(1) 向前 跨导 V
DS
= 10 v
,
I
D
= 2.1 一个 5 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 电容
反转 转移
电容
V
DS
= 25v, f = 1 mhz, v
GS
= 0 680
80
17
pF
pF
pF
C
oss eq.
(3) 相等的 输出
电容
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 480 v 98 pF
R
G
门 输入 阻抗 f=1 mhz 门 直流 偏差 = 0
测试 信号 水平的 = 20mv
打开 流
4
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(在)
t
f
t
d(止)
t
f
转变-在 延迟 时间
下降 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
V
DD
= 325 v, i
D
= 2.1 一个
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 v
(resistive 加载 看, 图示 3)
20
15
140
40
ns
ns
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
总的 门 承担
门-源 承担
门-流 承担
V
DD
= 520v, i
D
= 4.2 一个,
V
GS
= 10v
25
4.4
13.7
35
nC
nC
nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
I
SDM
(2)
源-流 电流
源-流 电流 (搏动)
0.76
3
一个
一个
V
SD
(1)
向前 在 电压
I
SD
= 0.76 一个, v
GS
= 0
1.6 V
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
反转 恢复 电流
I
SD
= 4.2 一个, di/dt = 100a/µs
V
DD
= 100v, t
j
= 150°c
(看 测试 电路, 图示 5)
375
1.76
10
ns
µC
一个
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