L6562
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2 描述
(持续)
这 高级地 直线的 乘法器 包含 一个 特定的 电路, 能 至 减少 交流 输入 电流 扭曲量, 那 准许
宽-范围-mains 运作 和 一个 极其 低 thd, 甚至 在 一个 大 加载 范围.
这 输出 电压 是 控制 用 意思 的 一个 电压-模式 错误 放大器 和 一个 准确的 (1% @tj =
25°c) 内部的 电压 涉及.
这 设备 特性 极其 低 消耗量 (
≤
70
µ
一个 在之前 开始-向上 和 <4 毫安 运动) 和 包含
一个 使不能运转 函数 合适的 为 ic 偏远的 开关, 这个 制造 它 easier 至 遵守 和 活力 节省
norms (蓝 angel, energystar, energy2000, etc.).
一个 有效的 二-步伐 ovp 使能 至 safely handle overvoltages 也 occurring 在 开始-向上 或者 结果
从 加载 disconnection.
这 totem-柱子 输出 平台, 有能力 的 600 毫安 源 和 800 毫安 下沉 电流, 是 合适的 为 big mos-
场效应晶体管 或者 igbt 驱动 这个, 联合的 和 这 其它 特性, 制造 这 设备 一个 极好的 低-费用 solu-
tion 为 en61000-3-2 一致的 smps's 向上 至 300w.
表格 2. 绝对 最大 比率
图示 3. 管脚 连接
(顶 视图)
表格 3. 热的 数据
标识 管脚 参数 值 单位
V
CC
8 ic 供应 电压 (icc = 20 毫安) 自-限制 V
IGD 7 输出 totem 柱子 顶峰 电流
±
0.8 一个
--- 1 至 4 相似物 输入 &放大; 输出 -0.3 至 8 V
IZCD 5 零 电流 探测器 最大值 电流 -50 (源)
10 (下沉)
毫安
P
tot
电源 消耗 @tamb = 50°c (插件-8)
(所以-8)
1
0.65
W
T
j
接合面 温度 运行 范围 -40 至 150 °C
T
stg
存储 温度 -55 至 150 °C
标识 参数 SO8 Minidip 单位
R
th j-amb
最大值 热的 阻抗, 接合面-至-包围的 150 100 °c/w
ZCD
INV
竞赛
MULT
CS
Vcc
GD
地
1
2
3
4
8
7
6
5
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