L9903
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函数的 描述
(持续)
欠压 关闭
为 供应 电压 在下 这 欠压 使不能运转 门槛 这 门 驱动器 仍然是 在 下沉 情况 (l) 和
这 diagnostic DG 是 低.
短的 电路 发现
这 输出 电压 在 这 S1 和 S2 管脚 的 这 h-桥 是 监控 用 comparators 至 发现 shorts 至 地面
或者 电池. 这 使活动 外部 highside MOS 晶体管 将 是 切换 止 如果 这 电压 漏出 仍然是 在下
这 比较器 门槛 电压 V
S1TH
和 V
S2TH
为 变长 比 这 短的 电流 发现 时间 t
SCd
. 这
晶体管 仍然是 在 止 情况, 这 diagnostic 输出 变得 低 直到 这 DIR 或者 PWM 输入 状态 将 是
changed. 这 状态 doesn’t 改变 为 这 其它 MOS 晶体管. 这 外部 lowside MOS 晶体管 将 是
切换 止 如果 这 电压 漏出 passes 在 这 比较器 门槛 电压 V
S1TH
和 V
S2TH
为 变长 比
这 短的 电流 发现 时间 t
SCd
. 这 晶体管 仍然是 在 止 情况, 这 diagnostic 输出 变得 低
直到 这 DIR 或者 PWM 输入 状态 将 是 changed. 这 状态 doesn’t 改变 为 这 其它 MOS 晶体管.
Diagnostic 输出 (dg)
这 diagnostic 输出 提供 一个 real 时间 错误 发现, 如果 monitors 这 下列的 错误 stacks: 热的 shut-
向下, 超（电）压 关闭 , 欠压 关闭 和 短的 电路 关闭. 这 打开 流 输出 和
内部的 拉 向上 resistor 是 低 如果 一个 错误 是 occuring.
自举 电容 (cb1,cb2)
至 确保, 那 这 外部 电源 MOS 晶体管 reach 这 必需的 R
DSON
, 一个 最小 门 源 电压
的 5V 为 逻辑 水平的 和 10V 为 标准 电源 MOS 晶体管 有 至 是 有保证的. 这 highside 晶体管
需要 一个 门 电压 高等级的 比 这 供应 电压. 这个 是 达到 和 这 内部的 chargepump 电路 在
结合体 和 这 自举 电容. 这 自举 电容 是 charged, 当 这 highside MOS 晶体管
是 止 和 这 lowside 是 在. 当 这 lowside 是 切换 止, 这 charged 自举 电容 是 能 至
供应 这 门 驱动器 的 这 highside 电源 MOS 晶体管. 为 有效的 charging 这 值 的 这 自举
电容 应当 是 大 比 这 门-源 电容 的 这 电源 MOS 和 遵守 这 必需的 PWM
比率.
Chargepump 电路 (cp)
这 反转 电池 保护 能 是 得到 和 一个 外部 n-channel MOS 晶体管 作 显示 在 图.6. 在
这个 情况 它的 流-大(量) 二极管 提供 这 保护. 这 输出 CP 是 将 至 驱动 这 门 的 这个 tran-
sistor 在之上 这 电池 电压 至 转变 在 这 MOS 和 至 绕过 这 流-大(量) 二极管 和 这 R
DSON
.这
CP 有 一个 连接 至 VS 通过 一个 内部的 二极管 和 一个 20k
Ω
电阻.
门 驱动器 为 这 外部 n-频道 电源 MOS 晶体管 (gh1, gh2, gl1, gl2)
高 水平的 在 EN activates 这 驱动器 的 这 外部 MOS 下面 控制 的 这 DIR 和 PWM 输入 (看 真实
表格 和 驱动 sequence 图.4). 这 外部 电源 MOS 门 是 连接 通过 序列 电阻器 至 这 de-
恶行 至 减少 electro 有磁性的 emission (eme) 的 这 系统. 这 电阻器 影响 这 切换 behaviour.
它们 有 至 是 choosen carefully. Too 大 电阻器 enlarge 这 charging 和 discharging 时间 的 这 电源
MOS 门 和 能 发生 交叉 电流 在 这 halfbridges. 这 驱动器 assures 一个 变长 切换 延迟 时间
从 源 至 下沉 平台 在 顺序 至 阻止 这 交叉 传导.
这 门 源 电压 是 limited 至 14v. 这 承担/释放 电流 是 limited 用 这 R
DSON
的 这 驱动器.
这 驱动器 是 不 保护 相反 shorts.
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