L9903
6/17
t
Kr
上升 时间 V
VS
= 13.5v; 图. 1
外部 负载 在 k-线条:
R
K
=510
Ω
拉 向上
至 V
VS
C
K
= 2.2nf 至 地
26
µ
s
t
Kf
下降 时间 26
µ
s
t
KH
转变 高 延迟 时间 4 17
µ
s
t
KL
转变 低 延迟 时间 4 17
µ
s
t
SH
Short 电路 发现 时间 V
VS
= 13.5v;
TX = 低
V
K
> 0.55 · V
VS
10 40
µ
s
承担 打气
V
CP
承担 打气 电压 V
VS
=8V
V
VS
= 13.5v
V
VS
= 20V
V
VS
+
7V
V
VS
+
10V
V
VS
+
10V
V
VS
+
14V
V
VS
+
14V
V
VS
+14V
I
CP
Charging 电流
V
CP
=V
VS
+8V
V
VS
= 13.5v -50 -75
µ
一个
t
CP
Charging 时间
2)
V
CP
=V
VS
+8V
V
VS
= 13.5v
C
CP
= 10nF
1.2 4 ms
f
CP
承担 打气 频率 V
VS
= 13.5v 250 500 750 kHz
驱动器 为 外部 highside power MOS
V
CB1
V
CB2
自举 电压 V
VS
= 8v; I
CBX
=0;v
SX
=0
V
VS
=13.5v; I
CBX
=0;V
SX
=0
V
VS
= 20v; I
CBX
=0;v
SX
=0
7.5
10
10
14
14
14
V
V
V
R
GH1L
R
GH2L
在-阻抗 的 下沉 平台
V
CBX
= 8v; V
SX
=0
I
GHX
= 50ma; T
J
=25
°
C
10 W
V
CBX
= 8v; V
SX
=0
I
GHX
= 50ma; T
J
=125
°
C
20 W
R
GH1H
R
GH2H
在-阻抗 的 源 平台 I
GHX
= -50ma; T
J
=25
°
C
I
GHX
= -50ma; T
J
= 125
°
C
10
20
W
W
V
GH1H
V
GH2H
门 ON 电压 (源) V
VS
=V
SX
= 8v; I
GHX
=0;
C
CBX
= 0.1
µ
F
V
VS
+6.5v
V
VS
+14V
V
VS
=V
SX
= 13.5v; I
GHX
=0;
C
CBX
= 0.1
µ
F
V
VS
+
10V
V
VS
+14V
V
VS
=V
SX
= 20v; I
GHX
=0;
C
CBX
= 0.1
µ
F
V
VS
+10V
V
VS
+14V
标识 参数 测试 Conditio n 最小值. 典型值 最大值 单位
电的 特性
(持续)
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