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资料编号:450160
 
资料名称:LH28F800BG
 
文件大小: 242.67K
   
说明
 
介绍:
8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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lh28f800bg-l (为 sop)
这 激励 块 是 located 在 也 这 顶 或者 这
bottom 的 这 地址 编排 在 顺序 至
accommodate 不同的 微观的-处理器 保护 为
激励 代号 location. 这 硬件-lockable 激励
块 提供 完全 代号 安全 为 这
kernel 代号 必需的 为 系统 initialization.
locking 和 unlocking 的 这 激励 块 是
控制 用 rp# (看
部分 4.9
为 详细信息).
块 擦掉 或者 文字 写 为 激励 块 必须 不
是 carried 输出 用 rp# 至 v
IH
.
这 状态 寄存器 indicates 当 这 wsm’s 块
擦掉 或者 文字 写 运作 是 finished.
这 ry/by# 输出 给 一个 额外的 指示信号 的
wsm activity 用 供应 两个都 一个 硬件 信号
的 状态 (相比 软件 polling) 和 状态
masking (中断 masking 为 background 块
擦掉, 为 例子). 状态 polling 使用 ry/by#
降低 两个都 cpu overhead 和 系统 电源
消耗量. 当 低, ry/by# indicates 那 这
wsm 是 performing 一个 块 擦掉 或者 文字 写.
ry/by#-高 indicates 那 这 wsm 是 准备好 为 一个
新 command, 块 擦掉 是 suspended (和
文字 写 是 inactive), 文字 写 是 suspended, 或者
这 设备 是 在 深的 电源-向下 模式.
电压 范围 的 4.75 至 5.25 v 在 这
温度 范围 (0 至 +70°c). 在 4.5 至 5.5 v
V
CC
, 这 进入 时间 是 90 ns 或者 120 ns. 在 更小的
V
CC
电压, 这 进入 时间 是 100 ns 或者 130 ns
(3.0 至 3.6 v) 和 120 ns 或者 150 ns (2.7 至 3.6 v).
这 自动 电源 节省 (aps) 特性
substantially 减少 起作用的 电流 当 这
设备 是 在 静态的 模式 (地址 不 切换).
在 aps 模式, 这 典型 i
CCR
电流 是 1 毫安 在
5 v v
CC
和 3 毫安 在 2.7 v 和 3.3 v v
CC
.
当 ce# 和 rp# 管脚 是 在 v
CC
, 这 i
CC
cmos 备用物品 模式 是 使能. 当 这 rp#
管脚 是 在 地, 深的 电源-向下 模式 是 使能
这个 降低 电源 消耗量 和 提供
必需的 从 rp# 切换 高 直到 输出 是
有效的. likewise, 这 设备 有 一个 wake 时间 (t
PHEL
)
从 rp#-高 直到 写 至 这 cui 是
公认的. 和 rp# 在 地, 这 wsm 是 重置
和 这 状态 寄存器 是 cleared.
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