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资料编号:451021
 
资料名称:LL4150
 
文件大小: 66.56K
   
说明
 
介绍:
MINI-MELF-SMD Silicon Diode
 
 


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1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
迷你-melf-smd 硅 二极管
ll4150-1
或者
LL4150
特性
六 sigma 质量
metallurgically 绑定
bkc's sigma bond镀层 为
问题 自由 可焊性
产品 切换
使用 在 一般 目的 产品, 在哪里 一个 低 电流 控制
向前 典型的 和 快 切换 速 是 重要的.
bkc 能 生产 generic equivalents 至 jan/ tx/ txv 和 s 水平的 每
mil-s-19500/ 231 和 内部的 源 控制 绘画.
最大 比率 标识 单位
顶峰 inverse 电压 PIV 75 (最小值.) 伏特
平均 调整的 电流 I
Avg
200 mAmps
持续的 向前 电流 I
Fdc
400 mAmps
顶峰 surge 电流 (t
顶峰
= 1 秒.) I
顶峰
0.5 放大
bkc 电源 消耗 t
L
=50
o
c, l = 3/8" 从 身体 P
tot
500 mWatts
运行 温度 范围 T
运算
-65 至 +200
o
C
存储 温度 范围 T
St
-65 至 +200
o
C
电的 特性 @ 25
o
C 标识 最小 最大 单位
向前 电压 漏出 @ i
F
= 1.0 毫安 V
F
0.54 0.62 伏特
向前 电压 漏出 @ i
F
= 10 毫安 V
F
0.66 0.74 伏特
向前 电压 漏出 @ i
F
= 50 毫安 V
F
0.76 0.86 伏特
向前 电压 漏出 @ i
F
= 100 m V
F
0.80 0.92 伏特
向前 电压 漏出 @ i
F
= 200 毫安 V
F
0.87 1.0 伏特
反转 泄漏 电流 @ v
R
= 50 v I
R
0.1 (100 @ 150
o
c) µA
损坏 电压 @ ir = 0.1 毫安 PIV
75 伏特
电容 @ v
R
= 0 v, f = 1mhz C
T
2.5 pF
反转 恢复 时间 (便条 1) t
rr
4.0 nSecs
反转 恢复 时间 (便条 2,3) t
rr
6.0 nSecs
向前 恢复 时间 (便条 4) V
fr
10 nSecs
便条 1: 每 方法 4031-一个 和 i
F
= i
R
= 10 至 200 毫安, r
L
= 100 ohms,recover 至 0.1 如果.
便条 2: 每 方法 4031-一个 和 i
F
= i
R
= 200 至 400 毫安, r
L
= 100 ohms,recover 至 0.1 如果.
便条 3: 每 方法 4031-一个 和 i
F
= 10 microa, ir = 1.0 毫安, recover 至 0.1 ma.
便条 4: 每 方法 4026 和 i
F
= 200 毫安, ir = 1.0 毫安, recover 至 0.1 ma.
dia.
.063-.067"
1.6-1.7mm
0.10"ref
2.54 mmref
长度
0.13-0.146"
3.30-3.70 mm
两个都 终止 caps
0.016-.022"
0.41-0.55 mm
ll-34/35 迷你 melf
表面 挂载 包装 做-213aa
6 lake 街道 - lawrence, 毫安 01841
电话: 978-681-0392 - 传真: 978-681-9135
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