运行 描述
(持续)
电容 通过 这 inductor. 至 重置 这 OVP 获得, 也
这 输入 电压 必须 是 cycled, 或者 两个都 途径 必须 是
切换 止.
下面 电压 保护 (uvp) 和 UV 延迟
如果 这 输出 电压 在 也 频道 falls 在下 80% 的
名义上的, 下面 电压 保护 activates. 作 显示 在
图示 5
, 一个 下面-电压 事件 将 shut 止 这 uv_延迟
场效应晶体管, 这个 将 准许 这 uv_延迟 电容 至
承担 在 5µA (典型). 在 这 uv_延迟 门槛 (2.3v
典型) 两个都 途径 将 获得 止. 也, uv_延迟 将 是
无能 和 这 uv_延迟 管脚 将 返回 至 0v. 在
uvp, 两个都 这 高 一侧 和 低 一侧 场效应晶体管 驱动器 将 是
转变 止. 如果 非 电容 是 连接 至 这 uv_延迟 管脚,
这 UVP 获得 将 是 使活动 立即. 至 重置 这
UVP 获得, 也 这 输入 电压 必须 是 cycled, 或者 两个都
在/ss 管脚 必须 是 牵引的 低. 这 UVP 函数 能 是
无能 用 连接 这 uv_延迟 管脚 至 地面.
热的 关闭
这 LM5642 IC 将 enter 热的 关闭 如果 这 消逝 tem-
perature 超过 160˚c. 这 顶 和 bottom FETs 的 两个都
途径 将 是 转变 止 立即. 在 增加, 两个都 软
电容 将 begin 至 释放 通过 独立的 5.5µa
电流 sinks. 这 电压 在 两个都 电容 将 settle 至
大概 1.1v, 在哪里 它 将 仍然是 直到 这 热的
关闭 情况 有 cleared. 这 IC 将 返回 至 正常的
运行 模式 当 这 消逝 温度 有 fallen 至
在下 146˚c. 在 这个 要点 这 二 软 开始 电容 将
begin 至 承担 和 它们的 正常的 2.4µa 电流 来源. 这个
准许 一个 控制 返回 至 正常的 运作, 类似的 至 这
软 开始 在 转变-在. 如果 这 热的 关闭 情况
clears 在之前 这 电压 在 这 软 开始 电容 有
fallen 至 1.1v, 这 电容 将 第一 是 释放 至 1.1v,
和 然后 立即 begin charging 后面的 向上.
输出 电容 释放
各自 频道 有 一个 embedded 480
Ω
场效应晶体管 和 这
流 连接 至 这 SWx 管脚. 这个 场效应晶体管 将 dis-
承担 这 输出 电容 的 它的 频道 如果 它的 频道 是 止,
或者 这 IC enters 一个 故障 状态 造成 用 一个 的 这 下列的
情况:
1. UVP
2. UVLO
如果 一个 输出 在 电压 事件 occurs, 这 HDRVx 将 是
转变 止 和 LDRVx 将 是 转变 在 立即 至
释放 这 输出 电容 的 两个都 途径 通过 这
inductor.
切换 噪音 减少
电源 MOSFETs 是 非常 快 切换 设备. 在 syn-
chronous 整流器 转换器, 这 迅速 增加 的 流
电流 在 这 顶 场效应晶体管 结合 和 parasitic 电感 将
发生 unwanted ldi/dt 噪音 尖刺 在 这 源 node 的
这 场效应晶体管 (swx node) 和 也 在 这 VIN node. 这 magni-
tude 的 这个 噪音 将 增加 作 这 输出 电流 在-
creases. 这个 parasitic 尖刺 噪音 将 转变 在 electromag-
netic 干扰 (emi), 和 能 也 导致 问题 在
设备 效能. 因此, 它 必须 是 suppressed 使用
一个 的 这 下列的 方法.
当 使用 电阻 sense, 它 是 strongly 推荐 至
增加 r-c 过滤 至 这 电流 sense 放大器 输入 作 显示
在
图示 7
. 这个 将 减少 这 susceptibility 至 切换
噪音, 特别 在 重的 加载 过往旅客 和 短的 在
时间 情况. 这 过滤 组件 应当 是 连接
作 关闭 作 可能 至 这 ic.
作 显示 在
图示 6
, adding 一个 电阻 在 序列 和 这
SWx 管脚 将 慢 向下 这 门 驱动 (hdrvx), 因此 slowing
这 上升 和 下降 时间 的 这 顶 场效应晶体管, yielding 一个 变长 流
电流 转变 时间.
通常地 一个 3.3
Ω
至 4.7
Ω
电阻 是 sufficient 至 压制 这
噪音. 顶 场效应晶体管 切换 losses 将 增加 和 高等级的
阻抗 值.
小 电阻器 (1-5 ohms) 能 也 是 放置 在 序列 和
这 HDRVx 管脚 或者 这 CBOOTx 管脚 至 effectively 减少
转变 node ringing. 一个 CBOOT 电阻 将 慢 这 上升 时间
的 这 场效应晶体管, whereas 一个 电阻 在 HDRV 将 减少 两个都 上升
和 下降 时间.
电流 感觉到 和 限制的
作 显示 在
图示 7
, 这 KSx 和 RSNSx 管脚 是 这
输入 的 这 电流 sense 放大器. 电流 感觉到 是
accomplished 也 用 感觉到 这 Vds 的 这 顶 场效应晶体管 或者 用
感觉到 这 电压 横过 一个 电流 sense 电阻 con-
nected 从 VIN 至 这 流 的 这 顶 场效应晶体管. 这 有利因素
的 感觉到 电流 横过 这 顶 场效应晶体管 是 减少 部分
计数, 费用 和 电源 丧失.
这 R
ds-在
的 这 顶 场效应晶体管 是 不 作 稳固的 在 温度
和 电压 作 一个 sense 电阻, hence 好 小心 必须 是
使用 在 布局 为 V
DS
感觉到 电路. 在 输入 电压
在之上 30v, 这 最大 推荐 输出 电流 是 5A
每 频道.
Keeping 这 差别的 电流-sense 电压 在下 200mV
确保 直线的 运作 的 这 电流 sense 放大器.
因此, 这 R
ds-在
的 这 顶 场效应晶体管 或者 这 电流 sense
电阻 必须 是 小 足够的 所以 那 这 电流 sense
电压 做 不 超过 200mV 当 这 顶 场效应晶体管 是 在.
那里 是 一个 leading 边缘 blanking 电路 那 forces 这 顶
场效应晶体管 在 为 在 least 166ns. 在之外 这个 最小 在 时间, 这
输出 的 这 PWM 比较器 是 使用 至 转变 止 这 顶
场效应晶体管. additionally, 一个 最小 电压 的 在 least 50mV
横过 Rsns 是 推荐 至 确保 一个 高 SNR 在 这
电流 sense 放大器.
假设 一个 最大 的 200mV 横过 rsns, 这 电流
sense 电阻 能 是 计算 作 跟随:
(3)
在哪里 Imax 是 这 最大 预期的 加载 电流, 包含
超载 乘法器 (ie:120%), 和 Irip 是 这 inductor 波纹
电流 (看 等式 3). 这 在之上 等式 给 这
最大 容许的 值 为 rsns. 切换 losses 将
增加 和 rsns, 因此 lowering 效率.
20060109
图示 6. SW 序列 电阻
LM5642
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