布局 仔细考虑
注意 必须 是 给 至 板 布局 当 使用 lm5111.
一些 重要的 仔细考虑 包含:
1. 一个 低 等效串联电阻/esl 电容 必须 是 连接 关闭 至
这 IC 和 在 这 V
CC
和 V
EE
管脚 至 支持
高 顶峰 电流 正在 描绘 从 V
CC
在 转变-在
的 这 场效应晶体管.
2. 恰当的 grounding 是 crucial. 这 驱动器 需要 一个 非常 低
阻抗 path 为 电流 返回 至 地面 avoiding
inductive 循环. 这 二 paths 为 returning 电流 至
地面 是 一个) 在 LM5111 V
EE
管脚 和 这 地面
的 这 电路 那 控制 这 驱动器 输入, b) 在
LM5111 V
EE
管脚 和 这 源 的 这 电源 场效应晶体管
正在 驱动. 所有 这些 paths 应当 是 作 短的 作
可能 至 减少 电感 和 是 作 宽 作 pos-
sible 至 减少 阻抗. 所有 这些 地面 paths 应当
是 保持 distinctly 独立的 至 避免 连接 在 这
高 电流 输出 paths 和 这 逻辑 信号 那 驱动
这 lm5111. 一个 好的 方法 是 至 dedicate 一个 铜
平面 在 一个 multi-layered PCB 至 提供 一个 一般
地面 表面.
3. 和 这 上升 和 下降 时间 在 这 范围 的 10 ns 至 30 ns,
小心 是 必需的 至 降低 这 长度 的 电流 车-
rying conductors 至 减少 它们的 电感 和 EMI
从 这 高 di/dt 过往旅客 发生 用 这 lm5111.
4. 这 LM5111 SOIC footprint 是 兼容 和 其它
工业 标准 驱动器 包含 这 tc4426/27/28
和 ucc27323/4/5.
5. 如果 也 频道 是 不 正在 使用, 这 各自的 输入
管脚 (在_一个 或者 在_b) 应当 是 连接 至 也 V
EE
或者
V
CC
至 避免 spurious 输出 信号.
热的 效能
介绍
这 primary goal 的 热的 管理 是 至 维持 这
整体的 电路 (ic) 接合面 温度 (t
J
) 在下 一个
指定 最大 运行 温度 至 确保 reliabil-
ity. 它 是 essential 至 估计 这 最大 T
J
的 IC 混合-
nents 在 worst 情况 运行 情况. 这 接合面 tem-
perature 是 estimated 为基础 在 这 电源 dissipated 在 这
IC 和 这 接合面 至 包围的 热的 阻抗
θ
JA
为 这
IC 包装 在 这 应用 板 和 环境. 这
θ
JA
是 不 一个 给 常量 为 这 包装 和 取决于 在
这 打印 电路 板 设计 和 这 运行 environ-
ment.
驱动 电源 必要条件 CALCULATIONS 在
LM5111
这 LM5111 双 低 一侧 场效应晶体管 驱动器 是 有能力 的
sourcing/sinking 3a/5a 顶峰 电流 为 短的 间隔 至
驱动 一个 场效应晶体管 没有 exceeding 包装 电源 dissipa-
tion 限制. 高 顶峰 电流 是 必需的 至 转变 这
场效应晶体管 门 非常 quickly 为 运作 在 高 发生率.
这 图式 在之上 显示 一个 conceptual 图解 的 这
LM5111 输出 和 场效应晶体管 加载. Q1 和 Q2 是 这
switches 在里面 这 门 驱动器. R
G
是 这 门 阻抗 的
这 外部 场效应晶体管, 和 C
在
是 这 相等的 门 capaci-
tance 的 这 场效应晶体管. 这 门 阻抗 Rg 是 通常地 非常
小 和 losses 在 它 能 是 neglected. 这 相等的 门
电容 是 一个 difficult 参数 至 measure 自从 它 是 这
结合体 的 C
GS
(门 至 源 电容) 和 C
GD
(门 至 流 电容). 两个都 的 这些 场效应晶体管 capaci-
tances 是 不 constants 和 相异 和 这 门 和 流
电压. 这 更好的 方法 的 quantifying 门 电容 是
这 总的 门 承担 Q
G
在 coloumbs. Q
G
结合 这
承担 必需的 用 C
GS
和 C
GD
为 一个 给 门 驱动
电压 V
门
.
假设 negligible 门 阻抗, 这 总的 电源 dissi-
pated 在 这 场效应晶体管 驱动器 预定的 至 门 承担 是 approxi-
mated 用
P
驱动器
=V
门
xQ
G
xF
SW
在哪里
F
SW
= 切换 频率 的 这 场效应晶体管.
为 例子, 考虑 这 场效应晶体管 MTD6N15 谁的 门
承担 指定 作 30 nC 为 V
门
= 12v.
这 电源 消耗 在 这 驱动器 预定的 至 charging 和
discharging 的 场效应晶体管 门 capacitances 在 切换 fre-
quency 的 300 kHz 和 V
门
的 12V 是 equal 至
P
驱动器
= 12V x 30 nC x 300 kHz = 0.108w.
如果 两个都 途径 的 这 LM5111 是 运行 在 equal fre-
quency 和 相等的 负载, 这 总的 losses 将 是 两次 作
这个 值 这个 是 0.216w.
在 增加 至 这 在之上 门 承担 电源 消耗, -
瞬时 电源 是 dissipated 在 这 驱动器 在 输出
transitions. 当 也 输出 的 这 LM5111 改变 状态,
电流 将 流动 从 V
CC
至 V
EE
为 一个 非常 brief 间隔 的
时间 通过 这 输出 totem-柱子 N 和 P 频道
mosfets. 这 最终 组件 的 电源 消耗 在 这
驱动器 是 这 电源 有关联的 和 这 安静的 偏差 cur-
rent consumed 用 这 驱动器 输入 平台 和 下面-电压
lockout sections.
描绘 的 这 LM5111 提供 精确 估计
的 这 瞬时 和 安静的 电源 消耗 混合-
nents. 在 300 kHz 切换 频率 和 30 nC 加载 使用
在 这 例子, 这 瞬时 电源 将 是 8 mw. 这 1 毫安
名义上的 安静的 电流 和 12V V
门
供应 生产 一个
12 mW 典型 安静的 电源.
因此 这 总的 电源 消耗
P
D
= 0.216 + 0.008 + 0.012 = 0.236w.
20112307
图示 2.
LM5111
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