绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
V
CC
至 V
EE
−0.3v 至 15V
V
CC
至 在_ref −0.3v 至 15V
在 至 在_ref, nSHDN 至 在_ref −0.3v 至 15V
在_ref 至 V
EE
−0.3v 至 5V
存储 温度 范围, (t
STG
) −55˚C 至 +150˚C
最大 接合面 温度,
(t
J
(最大值)) +150˚C
运行 接合面 温度 +125˚C
静电释放 比率 2kV
电的 特性
T
J
= −40˚C 至 +125˚c, V
CC
= 12v, V
EE
= 在_ref = 0v, nSHDN = V
CC
, 非 加载 在 输出_一个 或者 输出_b, 除非 否则
指定.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CC
运行 范围 V
CC
−in_ref 和 V
CC
−V
EE
3.5 14 V
V
CCR
V
CC
下面 电压 Lockout
(rising)
V
CC
−in_ref
2.3 2.9 3.5 V
V
CCH
V
CC
下面 电压 Lockout
Hysteresis
230 mV
I
CC
V
CC
供应 电流 (i
CC
) 在_一个 = 在_b = 0V (5110-1) 1 2
毫安
在_一个 = 在_b = V
CC
(5110-2)
12
在_一个 = V
CC
,在_b=0v
(5110-3)
12
I
CCSD
V
CC
关闭 电流 (i
CC
) nSHDN = 0V 18 25 µA
控制 输入
V
IH
逻辑 高 1.75 2.2 V
V
IL
逻辑 低 0.8 1.35 V
HYS 输入 Hysteresis 400 mV
I
IL
输入 电流 低 在_一个=在_b=v
CC
(5110-1-2-3)
−1 0.1 1
µA
I
IH
输入 电流 高 在_一个=在_b=v
CC
(5110-1) 10 18 25
在_一个=在_b=v
CC
(5110-2) −1 0.1 1
在_一个=v
CC
(5110-3) -1 0.1 1
在_b=v
CC
(5110-3) 10 18 25
关闭 输入
ISD 拉-向上 电流 nSHDN=0V −18 −25 µA
VSDR 关闭 门槛 nSHDN rising 0.8 1.5 2.2 V
VSDH 关闭 Hysteresis 165 mV
输出 驱动器
R
OH
输出 阻抗 高 I
输出
= −10 毫安 30 50
Ω
R
OL
输出 阻抗 低 I
输出
= + 10 毫安 1.4 2.5
Ω
I
源
顶峰 源 电流 outa/outb = V
CC
/2,
200 ns 搏动 电流
3A
I
下沉
顶峰 下沉 电流 outa/outb = V
CC
/2,
200 ns 搏动 电流
5A
LM5110
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