应用 注释
这 传播 延迟 时间 为 这 LM8365 是 量过的
使用 一个 470k
Ω
拉-向上 电阻 连接 至 从 这 重置
输出 管脚 至 5V 在 增加 至 一个 10pF 电容的 加载 con-
nected 从 这 一样 管脚 至 地.
图示 1
显示 这 定时
图解 为 这 度量 为 这 传播 延迟.
V
DET+
是 equal 至 这 总 的 这 探测器 门槛, V
DET−
,
和 这 建造 在 hysteresis, V
HYS
.t
D1
是 这 传播 时间
从 高-至-低 和 t
D2
是 这 传播 从
低-至-高.
这 LM8365 过激-低 电流 电压 探测器 是 设计
至 监控 电压 和 至 提供 一个 indication 当 这
监控 电压, V
在
, dropped 在下 一个 precisely 修整
门槛 电压. 这 电压 探测器 的 这 LM8365 驱动
一个 时间 延迟 发生器 那 将 是 编写程序 为 fixed
长度 的 时间 取决于 在 这 应用 needs. 这个
典型的 是 displayed 在 这 典型 运行 定时
图解 在
图示 2
.v
在
是 这 电压 那 是 正在 moni-
tored 和 作 它 减少 passed 这 precisely 修整
门槛 V
DET−
这 起作用的 低 重置 输出 drops 至 一个
逻辑 低 状态 和 这 C
D
管脚 drops 至 0v. 在 这个 状态
这 外部 电容 连接 至 这 C
D
管脚 是 immedi-
ately 释放 用 一个 内部的 n-频道 场效应晶体管. 当
V
在
增加 在之上 这 门槛 V
DET+
(v
DET−
+V
HYS
) 这
电容 连接 至 这 C
D
管脚 开始 至 承担 向上 至 V
在
通过 一个 内部的 拉-向上 电阻 R
D
. Once 这 电容
有 charged 向上 past 这 内部的 延迟 管脚 门槛, 这个
是 典型地 0.675 V
在
, 这 重置 输出 将 revert 后面的 至
it’s 原来的 状态. 这 LM8365 有 建造-在 hysteresis 至 帮助
阻止 erratic 重置 运作 当 这 输入 电压
crosses 这 门槛.
这 LM8365 有 一个 宽 多样性 的 产品 那 能 引领
有利因素 的 it’s 精确 和 低 电流 消耗量 至
监控 输入 电压 甚至 though 它 是 设计 作 一个
重置 控制 在 可携带的 微处理器 为基础 系统. 它
是 一个 非常 费用 有效的 和 空间 节省 设备 那 将
保护 your 更多 expensive investments 的 microproces-
sors 和 其它 设备 那 需要 一个 有保证的 供应 volt-
age 和 时间 延迟 为 恰当的 运作.
20066016
图示 1. 传播 延迟 定时 图解
LM8365
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