7-23
LP0701
p-频道 增强-模式
lateral 场效应晶体管
BV
DSS
/r
ds(在)
I
d(在)
V
gs(th)
BV
DGS
(最大值) (最小值) (最大值)
至-92 所以-8 消逝
-16.5v 1.5
Ω
-1.25a -1.0v LP0701N3 LP0701LG LP0701ND
订货 信息
顺序 号码 / 包装
先进的 mos 技术
这些 增强-模式 (正常情况下-止) 晶体管 utilize 一个 lat-
eral mos 结构 和 supertex’s 好-proven 硅-门
制造 处理. 这个 结合体 生产 设备 和
这 电源 处理 能力 的 双极 晶体管 和 和 这
高 输入 阻抗 和 负的 温度 系数 inher-
ent 在 mos 设备. 典型的 的 所有 mos 结构, 这些
设备 是 自由 从 热的 runaway 和 thermally-induced
secondary 损坏. 这 低 门槛 电压 和 低 在-
阻抗 特性 是 ideally suited 为 hand 使保持 电池
运作 产品.
产品
逻辑 水平的 接口
固体的 状态 接转
电池 运作 系统
photo voltaic 驱动
相似物 switches
一般 目的 线条 驱动器
绝对 最大 比率
流-至-源 电压 BV
DSS
流-至-门 电压 BV
DGS
门-至-源 电压
±
10V
运行 和 存储 温度 -55
°
c 至 +150
°
C
焊接 temperature* 300
°
C
*
距离 的 1.6 mm 从 情况 为 10 秒.
特性
过激 低 门槛
高 输入 阻抗
低 输入 电容
快 切换 speeds
低 在 阻抗
自由 从 secondary 损坏
低 输入 和 输出 泄漏
complementary n- 和 p-频道 设备
包装 选项
(便条 1)
便条: 看 包装 外形 部分 为 维度.
低 门槛
s g d
至-92
1
2
3
4
8
7
6
5
所以-8
顶 视图
NC D
NC D
SD
GD
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