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资料编号:453945
 
资料名称:LP0701LG
 
文件大小: 32.8K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
7-24
LP0701
包装 I
D
(持续的)* I
D
(搏动)* 电源 消耗
θ
jc
θ
ja
I
DR
I
DRM
*
C
°
C
°
c/w
°
c/w
至-92 -0.5a -1.25a 1W 125 170 -0.5a -1.25a
所以-8 -0.7a -1.25a 1.5w
83 104
-0.7a -1.25a
*I
D
(持续的) 是 限制 用 最大值 评估 t
j
.
挂载 在 fr4 板, 25mm x 25mm x 1.57mm.
热的 特性
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
DSS
流-至-源 损坏 电压 -16.5 V V
GS
= 0v, i
D
= -1ma
V
gs(th)
门 门槛 电压 -0.5 -0.7 -1.0 V V
GS
D
V
gs(th)
改变 在 v
gs(th)
和 温度 -4.0 mv/
°
CV
GS
D
I
GSS
门 身体 泄漏 -100 nA V
GS
=
±
10v, v
DS
= 0v
I
DSS
零 门 电压 流 电流 -100 nA V
DS
= -15v, v
GS
= 0v
-1.0 毫安 V
DS
= 0.8 最大值 比率,
V
GS
= 0v, ta = 125
°
C
-0.4 V
GS
I
d(在)
在-状态 流 电流 -0.6 -1.0 V
GS
= -5v
2.0 4.0 V
GS
= -2v, i
D
= -50ma
R
ds(在)
1.7 2.0 V
GS
= -3v, i
D
= -150ma
1.3 1.5 V
GS
= -5v, i
D
= -300ma
R
ds(在)
改变 在 r
ds(在)
和 温度 0.75 %/
°
CV
GS
= -5v, i
D
= -300ma
G
FS
向前 跨导 500 700 m V
DS
= -15v, i
D
= -1a
C
ISS
输入 电容 120 250
C
OSS
一般 源 输出 电容 100 125 pF V
GS
= 0v, v
DS
= -15v, f = 1mhz
C
RSS
反转 转移 电容 40 60
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 20
t
r
上升 时间 20 V
DD
D
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 30 R
GEN
= 25
t
f
下降 时间 30
V
SD
二极管 向前 电压 漏出 -1.2 -1.5 V V
GS
= 0v, i
SD
= -500ma
便条 1: 所有 d.c. 参数 100% 测试 在 25
°
c 除非 否则 陈述. (脉冲波 测试: 300
µ
s 脉冲波, 2% 职责 循环.)
便条 2: 所有 一个.c. 参数 样本 测试.
一个
电的 特性
(@ 25
°
c 除非 否则 指定)
静态的 流-至-源
在-状态 阻抗
ns
切换 波形 和 测试 电路
90%
10%
90%
90%
10%
10%
脉冲波
发生器
V
DD
R
L
输出
d.u.t.
t
(在)
t
d(在)
t
(止)
t
d(止)
t
F
t
r
输入
输入
输出
0V
V
DD
R
gen
0V
-10v
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