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资料编号:453945
资料名称:
LP0701LG
文件大小: 32.8K
说明
:
介绍
:
P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
7-26
LP0701
门 驱动 动态 特性
Q
G
(nanocoulombs)
V
gs(th)
(normalized)
R
ds(在)
(normalized)
V
(th)
和 r
DS
变化 和 温度
在-阻抗 vs. 流 电流
BV
DSS
变化 和 温度
BV
DSS
(normalized)
转移 特性
电容 vs. 流-至-源 电压
200
c (picofarads)
0
-5
-10
-15
100
0
-1-2-3-4-5
-2
-1
-50
0
50
100
150
1.1
10
8
6
4
2
0
0
-3
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-10
-8
-6
-4
-2
0
012345
-50
0
50
100
150
238pF
T
一个
= -55
°
C
f = 1mhz
-1
-2
-20v
0
V
DS
= -15v
0.9
1.0
C
ISS
= 115pf
V
(th)
@ -1ma
R
ds(在)
@ -5v, -300ma
0
V
GS
= -3v
V
GS
= -5v
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 125
°
C
V
GS
= -2v
I
D
(amperes)t
j
(
°
c)
R
ds(在)
(ohms)
I
D
(amperes)
V
GS
(伏特)
T
j
(
°
c)
V
DS
= -10v
V
DS
(伏特)
V
GS
(伏特)
C
ISS
C
OSS
C
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