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资料编号:454240
 
资料名称:LP61L256B
 
文件大小: 132.64K
   
说明
 
介绍:
32K X 8 Bit High SPEED LOW VCC CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
lp61l256b 序列
(8月, 2001, 版本 1.0) 4
amic 技术, 公司
真实 表格
模式
CE
OE
我们
i/o 运作 供应 电流
备用物品 H X X 高 z I
SB
, i
SB1
输出 使不能运转 L H H 高 z I
CC1
L L H D
输出
I
CC1
L X L D
I
CC1
电容
(t
一个
= 25
°
c, f = 1.0 mhz)
标识 参数 最小值 最大值 单位 情况
C
* 输入 电容 - 10 pF V
= 0 v
C
i/o
* 输入/输出 电容 - 10 pF V
i/o
= 0 v
* 这些 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
交流 特性
(t
一个
= 0
°
c 至 + 70
°
c, vcc = 3.3v
±
10%)
LP61L256B-12
标识 参数
最小值 最大值
单位
读 循环
t
RC
读 循环 时间 12 - ns
t
AA
地址 进入 时间 - 12 ns
t
ACE
碎片 使能 进入 时间 - 12 ns
t
OE
输出 使能 至 输出 有效的 - 7 ns
t
CLZ
碎片 使能 至 输出 在 低 z 2 - ns
t
OLZ
输出 使能 至 输出 在 低 z 2 - ns
t
CHZ
碎片 使不能运转 至 输出 在 高 z 0 7 ns
t
OHZ
输出 使不能运转 至 输出 在 高 z 2 6 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 2 - ns
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