M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
11
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
单独的 位 读-写-读 循环 (一样 页) @cas latency=3, burst length=1
: d o n ' t c 一个 r e
0 1 2 34 5 6 7 8 9 10111213 1415 16 171819
C L O C K
C K E
C S
R 一个 S
C 一个 S
一个 D D R
W E
DQ
DQM
一个 1 0 / 一个 P
t
C H
t
C L
t
C C
R o w 一个 c t i v e
B 一个
*Note1
H I G H
t
R C D
t
S S
t
S S
t
S H
t
S H
t
S S
t
S H
t
S S
t
S S
t
S H
t
S S
t
S S
t
S H
R 一个
C 一个 C b C c
R b
B SB SB SB S
B S
B S
R 一个
Q 一个
Db
Qc
R b
R e 一个 d
W r i t e
R e 一个 d
P r e c h 一个 r g e
R o w 一个 c t i v e
t
R C
t
R 一个 S
t
R P
t
C C D
t
R 一个 C
*Note2 *note2,3 *Note4
*Note2
*note2,3
*note 3
*note 3
*note2,3
t
S H
t
S L Z
t
S 一个 C
t
O H
t
S H
t
S H
t
S S
*note4*note 3