M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
12
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
*note:
1. 所有 输入 expect cke &放大; dqm 能 是 don’t 小心 当
CS 是 高 在 这 clk 高 going 边缘.
2. bank 起作用的 &放大; 读/写 是 控制 用 ba.
BA 起作用的 &放大; 读/写
0bank 一个
1bank b
3.使能 和 使不能运转 自动 precharge 函数 是 控制 用 a10/ap 在 读/写 command.
a10/ap BA 运作
0 使不能运转 自动 precharge, leave bank 一个 起作用的 在 终止 的 burst.
0
1 使不能运转 自动 precharge, leave bank b 起作用的 在 终止 的 burst.
0 使能 自动 precharge, precharge bank 一个 在 终止 的 burst.
1
1 En能 自动 precharge, precharge bank b 在 终止 的 burst.
4.a10/ap 和 ba 控制 bank precharge 当 precharge command 是 asserted.
a10/ap BA precharge
00 bank 一个
01 bank b
1 X 两个都 banks
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