M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
14
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
读 &放大; 写 循环 在 一样 bank @burst 长度 = 4
*note:
1.最小 行 循环 时间 是 必需的 至 完全 内部的 dram 运作.
2.行 precharge 能 中断 burst 在 任何 循环. [cas latency-1] 号码 的 有效的 输出 数据 是 有 之后 行
precharge. last 有效的 输出 将 是 hi-z(
t
SHZ
) 之后 这 时钟.
3.进入 时间 从 行 起作用的 command. tcc*
(t
RCD
+cas latency-1)+
t
SAC
4.输出 将 是 hi-z 之后 这 终止 的 burst.(1,2,4,8 位 burst)
burst 能’t 终止 在 全部 页 模式.
t
RCD
t
RC
0 12 34 56 78 91011121 31 41 516 1 718 1 9
CLOCK
C K E
CS
RAS
CAS
地址
DQM
BA
CL=2
C L=3
R 一个
R b
C b 0
t
O H
t
SAC
t
S HZ
t
S H Z
t
R DL
R ead
Row 交流德州仪器ve
Prech一个rg e
(一个-b一个nk)
(一个-b一个nk)
(一个-bank)
Prec ha rge
(一个-b一个nk)
Write
(一个-b一个nk)
Row 交流tive
(一个-bank)
*Note3
*Note3
*Note4
*Note4
: Don't c一个 re
*Note1
Q 一个 0 Q 一个 1 Q 一个 2 Q 一个 3 D b 0 D b 3
D b 1
D b 2
Q 一个 0
Q 一个 1 Q 一个 2 Q 一个 3
D b 0
D b 3
D b 1
D b 2
t
RAC
t
RAC
t
R DL
C一个 0
A10/一个P
R 一个
R b
HIGH
*Note2
WE
t
OH
t
SAC
QC
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