M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
15
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
页 读 &放大; 写 循环 在 一样 bank @ burst 长度=4
*note :
1.至 写 数据 在之前 burst 读 ends, dqm 应当 是 asserted 三 循环 较早的 至 写 command 至 避免 总线
contention.
2.行 precharge 将 中断 writing. last 数据 输入,
t
RDL
在之前 行 precharge, 将 是 写.
3.dqm 应当 掩饰 invalid 输入 数据 在 precharge command 循环 当 asserting precharge 在之前 终止 的 burst.
输入 数据 之后 行 precharge 循环 将 是 masked 内部.
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时钟
CKE
CS
RAS
CAS
BA
地址
a10/ap
CL=2
CL=3
我们
DQM
高
t
RCD
*Note2
Ra
Ca0 Cb0
Cc0 Cd0
Ra
Qa0
Qa1
Qb0 Qb1
Qb2
Dc0 Dc1
Dd0
Dd1
Qa0 Qa1 Qb1 Qb2 Dc0 Dc1 Dd0 Dd2
t
CDL
*Note1
行 起作用的
(一个-bank)
读
(一个-bank)
读
(一个-bank)
写
(一个-bank)
写
(一个-bank)
Precharge
(一个-bank)
: don't 小心
DQ
01
2
t
RDL
*Note3
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