M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
16
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
页 读 循环 在 不同的 bank @ burst 长度=4
*note: 1. CS 能 是 don’t cared 当 RAS , CAS 和 我们 是 高 在 这 时钟 高 going dege.
2.至 中断 一个 burst 读 用 行 precharge, 两个都the read 和 the precharge banks 必须 是 the 一样.
3 4
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19
时钟
CKE
CS
RAS
CAS
BA
地址
a10/ap
CL=2
CL=3
我们
DQM
高
*Note2
RAa
CAa
RBb
RAa
读
(一个-bank)
行 起作用的
行 起作用的
(b-bank)
(一个-bank)
读
(一个-bank)
读
(b-bank)
读
(一个-bank)
读
(b-bank)
Precharge
(一个-bank)
: don't小心
DQ
01
2
CBb
CAc CBd CAe
qaa0 qaa1 qaa2 qaa3 qbb0 qbb1 qbb2 qbb3 qac0 qac1 qbd0 qbd1 qae0 qae1
qaa0 qaa1 qaa2 qaa3 qbb0 qbb1 qbb2 qbb3 qac0 qac1 qbd0 qbd1 qae0 qae1
*Note1
RBb
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