M12L16161A-7T_集成电路资料查询网

M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
17
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
页 写 循环 在 不同的 bank @burst 长度 = 4
*note: 1.至 interrupt burst 写 用 行 precharge, dqm 应当 是 asserted 至 掩饰 invalid 输入 数据.
2.至 中断 burst 写 用 行 precharge, 两个都 这 写 和 这 precharge banks 必须 是 这 一样.
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高
行 起作用的
(一个-bank)
行 起作用的
(b-bank)
写
(一个-bank)
Precharge
(两个都 banks)
: don't 小心
DQ
写
(一个-bank)
写
(b-bank)
写
(b-bank)
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DBb1 DBb2 DBb3 DAc0 DAc1 DBd0
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M12L16161A elite 半导体记忆技术公司 p. 17 发行日期 : jan. 2000 修订 : 1.3u 页写循环在不同的 bank @burst 长度 = 4 note: 1.至 interrupt burst 写用行 precharge, dqm 应当是 asserted 至掩饰 invalid 输入数据. 2.至中断 burst 写用行 precharge, 两个都这写和这 precharge banks 必须是这一样. 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 时钟 CKE CS RAS CAS BA 地址 a10/ap WE DQM 高行起作用的 (一个-bank) 行起作用的 (b-bank) 写 (一个-bank) Precharge (两个都 banks) : don't 小心 DQ 写 (一个-bank) 写 (b-bank) 写 (b-bank) DAa0 DAa1 DAa2 DAa3 DBb0 DBb1 DBb2 DBb3 DAc0 DAc1 DBd0 DBd1 RAa RBb RAa CAa RBb CBb CAc CBd Note2 t CDL t RDL *Note1

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