M12L16161A-7T_集成电路资料查询网

M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
18
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
读 &放大; 写 循环 在 不同的 bank @ burst 长度 = 4
*note: 1.
t
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应当 是 符合 至 完全 写.
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M12L16161A elite 半导体记忆技术公司 p. 18 发行日期 : jan. 2000 修订 : 1.3u 读 &放大; 写循环在不同的 bank @ burst 长度 = 4 note: 1. t CDL 应当是符合至完全写. 时钟 CKE CS RAS CAS 地址我们 DQM a10/一个P CL=2 CL=3 行起作用的 (一个-B一个k) 读 (一个-bank) : d o n ' t c 一个 r e QAa1 QAa2 QAa3 DBb1 DBb2 DBb3DBb0QAa0 RAa CAc RAa CAa QAa1 QAa2 QAa3 DBb1 DBb2 DBb3DBb0QAa0 写 (b-bank) 高 RBb CBb RAc RBb RAc QAc0 QAc1 QAc2 QAc0 QAc1 读 (一个-bank) 行起作用的 (b-bank) Precharge (一个-bank) 行起作用的 (一个-bank) t CDL Note1 1 92 103 4 5 6 7 8 11 12 13 14 1715 18 16 19 0 BA DQ RBb

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